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公开(公告)号：CN102483980A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003230.8
申请日：2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H02K1/02 , B22F3/24 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F2999/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F7/02 , H01F41/0293 , H02K15/03 , B22F2207/01
Abstract: 本实施方式涉及的稀土烧结磁体是具有包含(R1、R2)2T14B(R1是除Dy、Tb以外的至少1种稀土元素，R2是至少包含Dy、Tb中的任意1种或2种的稀土元素，T表示Fe或包含Fe和Co中的1种以上的过渡金属元素)的晶粒的稀土烧结磁石体的稀土烧结磁体，上述稀土烧结磁石体中的、包含在包围上述晶粒周围的晶界中的R2相对于R1与R2之和的比例，高于在上述晶粒中R2相对于R1与R2之和的比例，R2的浓度从稀土烧结磁石体中心部向稀土烧结磁石体表面逐渐增高，并且，上述稀土烧结磁石体表面的剩余磁通密度的偏差小于3.0％。
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公开(公告)号：CN100508274C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510081443.9
申请日：2005-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种提高不可逆电路元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化强度为S11时，在温度T2下的饱和磁化强度为S12，在温度T3下的饱和磁化强度为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化强度为S21时，在温度T2下的饱和磁化强度为S22，在温度T3下的饱和磁化强度为S23时，具有|(S12-S11)/(T2-T1)|＜|(S22-S21)/(T2-T1)|、|(S13-S12)/(T3-T2)|＞|(S23-S22)/(T3-T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化强度S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化强度为1时的相对值。
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公开(公告)号：CN1198243A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN97190981.4
申请日：1997-06-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B1/16
CPC classification number: H01B1/16 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/092 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 目标是提供优质导体糊,它使用银基内部导体,即使在用导体熔体法与陶瓷材料一同烧制时也抑制空隙产生及伴随的断裂发生,而且它改善了生产率,降低了成本,及改进了电特性。导体糊是通过将银基导电材料及金属氧化物分散在载体中制备的。氧化镓,氧化镧,氧化镨,氧化钐,氧化铕,氧化钆,氧化镝,氧化铒,氧化铥,及氧化镱中的至少一个被用作这个金属氧化物,在导电材料的熔点与低于沸点之间的一个温度上烧制导体糊。
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公开(公告)号：CN102483980B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180003230.8
申请日：2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H02K1/02 , B22F3/24 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F2999/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F7/02 , H01F41/0293 , H02K15/03 , B22F2207/01
Abstract: 本实施方式涉及的稀土烧结磁体是具有包含(R1、R2)2T14B(R1是除Dy、Tb以外的至少1种稀土元素，R2是至少包含Dy、Tb中的任意1种或2种的稀土元素，T表示Fe或包含Fe和Co中的1种以上的过渡金属元素)的晶粒的稀土烧结磁石体的稀土烧结磁体，上述稀土烧结磁石体中的、包含在包围上述晶粒周围的晶界中的R2相对于R1与R2之和的比例，高于在上述晶粒中R2相对于R1与R2之和的比例，R2的浓度从稀土烧结磁石体中心部向稀土烧结磁石体表面逐渐增高，并且，上述稀土烧结磁石体表面的剩余磁通密度的偏差小于3.0％。
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公开(公告)号：CN1719658A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510081443.9
申请日：2005-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种提高不可逆元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11时，在温度T2下的饱和磁化为S12，在温度T3下的饱和磁化为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21时，在温度T2下的饱和磁化为S22，在温度T3下的饱和磁化为S23时，具有|(S12－S11)/(T2－T1)|＜|(S22－S21)/(T2－T1)|、|(S13－S12)/(T3－T2)|＞|(S23－S22)/(T3－T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1099121C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN97190981.4
申请日：1997-06-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B1/16
CPC classification number: H01B1/16 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/092 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 目标是提供优质导体糊，它使用银基内部导体，即使在用导体熔体法与陶瓷材料一同烧制时也抑制空隙产生及伴随的断裂发生，而且它改善了生产率，降低了成本，及改进了电特性。导体糊是通过将银基导电材料及金属氧化物分散在载体中制备的。氧化镓，氧化镧，氧化镨，氧化钐，氧化铕，氧化钆，氧化镝，氧化铒，氧化铥，及氧化镱中的至少一个被用作这个金属氧化物，在导电材料的熔点与低于沸点之间的一个温度上烧制导体糊。
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公开(公告)号：CN1239579A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98801384.3
申请日：1998-09-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387 , Y10T428/12896 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明的多层陶瓷部件包含共同烧制形成的内导体层和陶瓷层。内层体层由以银为主要成分的导电材料形成，而陶瓷层由钇—铁—石榴石为基的氧化物磁性材料添加银而形成。由此，能以高的合格率制造尺寸更小的多层陶瓷部件。
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公开(公告)号：CN1174519C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN98802350.4
申请日：1998-11-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种不可逆电路元件，包括：磁性体；在相互绝缘的状态下交错设置在所述磁性体上或内的多个中心导体；向所述磁性体施加磁场的永久磁体；与所述中心导体的一端共同连接的屏蔽导体；与所述中心导体的另一端连接的输入输出端；在所述不可逆元件的各输入输出端与地之间形成的输入输出电容；以及在所述屏蔽导体与所述地之间连接的只调整同相激励固有值以降低不可逆元件的工作频率的电容，在该电容的电容值为Cs，各输入输出电容的电容值为C时，Cs×C≤1500pF2。由此可实现小型化、轻量化及薄型化，并且可以在不改变所使用的材料且不导致插入损失增加的情况下任意调整温度特性。
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公开(公告)号：CN1111881C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN98801384.3
申请日：1998-09-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387 , Y10T428/12896 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明的多层陶瓷部件包含共同烧制形成的内导体层和陶瓷层。内导体层由以银为主要成分的导电材料形成，而陶瓷层由钇-铁-石榴石为基的氧化物磁性材料添加0.2～5重量%的银而形成。烧制温度等于或高于上述导电材料的熔点而低于上述导电材料的沸点。由此，能以高的合格率制造尺寸更小的多层陶瓷部件。
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