公开(公告)号：CN111381197A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911377452.0

申请日：2019-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  高桥宏和

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/02 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G01R33/14

Abstract: 本发明提供一种磁传感器装置，其具备检测检测对象磁场的磁传感器和配置于其附近的软磁性结构体。将施加磁场强度和磁化对应值以正交的两个轴表示的正交坐标系中，当外部磁场的强度在上述预定的可变范围内变化时，表示施加磁场强度和磁化对应值的坐标在不与主磁滞回线连接的小磁滞回线上移动。在此，施加磁场强度是施加于软磁性结构体的磁场的强度，磁化对应值是与软磁性结构体的磁化的对应的值，主磁滞回线是使施加磁场强度变化时上述坐标的轨迹描绘的回线中、由该回线包围的区域的面积最大的回线。

公开(公告)号：CN108205119B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710961421.4

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高桥宏和 ,  三浦聪

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供能够高精度地检测三轴方位的磁场的三轴磁传感器及其制造方法。三轴磁传感器(1)具备：具有第一面(21)及与其相对的第二面(22)的基板(2)、和设置于第一面(21)上的磁传感器元件组(3)。磁传感器元件组(3)包含X轴方向的磁力检测用的第一磁传感器元件(31)、Y轴方向的磁力检测用的第二磁传感器元件(32)和Z轴方向的磁力检测用的第三磁传感器元件(33)。第一～第三磁传感器元件(31～33)分别包含由至少含有磁化固定层(42)及自由层(44)的层叠体构成的第一～第三磁阻效应元件(4)，第一～第三磁阻效应元件(4)的各磁化固定层(42)的磁化方向M42被固定在相对于第一面(21)以规定的角度θM42倾斜的方向。

公开(公告)号：CN109427964A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810993796.3

申请日：2018-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  佐佐木智生 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。