公开(公告)号：CN109427964B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810993796.3

申请日：2018-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  佐佐木智生 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。

公开(公告)号：CN114814672A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210048800.5

申请日：2022-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明的磁传感器具备MR元件。MR元件包含自由层。自由层具有在一个方向上较长的形状的第一面、和配置在与第一面为相反侧的第二面，并且具有作为与第一面垂直的方向的尺寸的膜厚。第一面具有位于第一面的短边方向的两端的第一端部以及第二端部。在任意的截面中，第一端部处的膜厚比第一端部与第二端部之间的第一面上的规定的点处的膜厚小。

公开(公告)号：CN111381196A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911377123.6

申请日：2019-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  渡部司也

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/02 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G01R33/14

Abstract: 本发明提供一种磁传感器装置，其具备磁传感器和配置于其附近的软磁性结构体。磁传感器和软磁性结构体以如下方式构成，对磁传感器施加包含检测对象磁场的外部磁场时，也对软磁性结构体施加外部磁场，且软磁性结构体具有磁化时，基于软磁性结构体的磁化的磁场施加于磁传感器。软磁性结构体具有条纹状磁畴结构。

公开(公告)号：CN108695432A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810223951.3

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  渡边克 ,  西冈康 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/072 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。

公开(公告)号：CN114814672B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202210048800.5

申请日：2022-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明的磁传感器具备MR元件。MR元件包含自由层。自由层具有在一个方向上较长的形状的第一面、和配置在与第一面为相反侧的第二面，并且具有作为与第一面垂直的方向的尺寸的膜厚。第一面具有位于第一面的短边方向的两端的第一端部以及第二端部。在任意的截面中，第一端部处的膜厚比第一端部与第二端部之间的第一面上的规定的点处的膜厚小。

公开(公告)号：CN108695432B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201810223951.3

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  渡边克 ,  西冈康 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。

公开(公告)号：CN114791578A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210085333.3

申请日：2022-01-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器具备MR元件和支撑构件。支撑构件具有包含第1倾斜部分的相对面和下表面。在任意的截面中，第1倾斜部分在第1位置以第1角度倾斜，并且第1倾斜部分在第2位置以比第1角度小的第2角度倾斜。第1位置处的第1倾斜部分的曲率的绝对值，小于第2位置处的第1倾斜部分的曲率的绝对值。MR元件以在任意的截面中第1端部位于第1位置的上方的方式，配置在第1倾斜部分之上。

公开(公告)号：CN111381196B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201911377123.6

申请日：2019-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  渡部司也

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/02 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G01R33/14

Abstract: 本发明提供一种磁传感器装置，其具备磁传感器和配置于其附近的软磁性结构体。磁传感器和软磁性结构体以如下方式构成，对磁传感器施加包含检测对象磁场的外部磁场时，也对软磁性结构体施加外部磁场，且软磁性结构体具有磁化时，基于软磁性结构体的磁化的磁场施加于磁传感器。软磁性结构体具有条纹状磁畴结构。

公开(公告)号：CN108205119A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710961421.4

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高桥宏和 ,  三浦聪

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供能够高精度地检测三轴方位的磁场的三轴磁传感器及其制造方法。三轴磁传感器(1)具备：具有第一面(21)及与其相对的第二面(22)的基板(2)、和设置于第一面(21)上的磁传感器元件组(3)。磁传感器元件组(3)包含X轴方向的磁力检测用的第一磁传感器元件(31)、Y轴方向的磁力检测用的第二磁传感器元件(32)和Z轴方向的磁力检测用的第三磁传感器元件(33)。第一～第三磁传感器元件(31～33)分别包含由至少含有磁化固定层(42)及自由层(44)的层叠体构成的第一～第三磁阻效应元件(4)，第一～第三磁阻效应元件(4)的各磁化固定层(42)的磁化方向M42被固定在相对于第一面(21)以规定的角度θM42倾斜的方向。

公开(公告)号：CN111381197B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201911377452.0

申请日：2019-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  高桥宏和

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/02 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G01R33/14

Abstract: 本发明提供一种磁传感器装置，其具备检测检测对象磁场的磁传感器和配置于其附近的软磁性结构体。将施加磁场强度和磁化对应值以正交的两个轴表示的正交坐标系中，当外部磁场的强度在上述预定的可变范围内变化时，表示施加磁场强度和磁化对应值的坐标在不与主磁滞回线连接的小磁滞回线上移动。在此，施加磁场强度是施加于软磁性结构体的磁场的强度，磁化对应值是与软磁性结构体的磁化的对应的值，主磁滞回线是使施加磁场强度变化时上述坐标的轨迹描绘的回线中、由该回线包围的区域的面积最大的回线。