公开(公告)号：CN118522725A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311360546.3

申请日：2023-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都擎逸 ,  郑镇雨 ,  宋周永 ,  李美珍 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了用于使用可控硅整流器进行静电放电保护的装置。所述装置包括可控硅整流器，可控硅整流器包括阳极和阴极；至少一个第一晶体管，连接在可控硅整流器的阳极与栅极之间；以及第二晶体管，包括连接到阴极或阳极之中的一个的源极和连接到所述至少一个第一晶体管的体的漏极。

公开(公告)号：CN118431223A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311473712.0

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇 ,  宋宗圭 ,  金玟昊 ,  宋周永 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02 ,  H02M1/32

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：第一电力垫；第二电力垫；信号垫；钳位电路，连接在第一电力垫与第二电力垫之间；驱动电路，连接到信号垫并且包括上拉电路和下拉电路；以及第一栅极关断电路，连接到下拉电路。第一栅极关断电路被构造为在高电压被施加到信号垫的静电放电(ESD)事件期间将下拉电路的栅极和下拉电路的源极彼此连接，并且控制由高电压生成的电流流到钳位电路。

公开(公告)号：CN118191451A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311710220.9

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蒂莫西·约旦·戴维斯 ,  徐宇镇 ,  全灿熙

IPC: G01R31/00 ,  G06F30/33

Abstract: 提供了分析静电放电网络的方法和系统。在所述方法中，接收表征半导体器件的输入数据。所述半导体器件包括输入/输出(I/O)焊盘、静电放电保护电路和至少一个功能电路。基于所述输入数据并且使用多个电阻和至少一个预定方程来计算所述静电放电保护电路的公共电阻。所述多个电阻与所述I/O焊盘、所述静电放电保护电路和所述至少一个功能电路相关联。通过排除所述公共电阻对所述半导体器件执行网络分析。

公开(公告)号：CN117917856A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311233354.6

申请日：2023-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彦局 ,  郑珍洙 ,  全灿熙

IPC: H03K19/0185

Abstract: 一种电平移位器包括：输入电路，接收在参考电压和具有比参考电压的电平高的电平的第一电源电压之间摆动的输入信号；输出电路，输出在具有比第一电源电压的电平高的电平的第二电源电压和具有比第二电源电压的电平高的电平的第三电源电压之间摆动的输出信号；以及容错电路，连接在输入电路和输出电路之间，并且被配置为将输入电路的输出电压限制到在参考电压和第二电源电压之间的范围。

公开(公告)号：CN104103689B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201410143763.1

申请日：2014-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  权银景 ,  金一龙 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。

公开(公告)号：CN103219718B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201310016652.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金杜炯 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰 ,  任弘郁

IPC: H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H01L27/02

CPC classification number: H02H9/044 ,  H02H9/046

Abstract: 一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一电源线；第二电源线；地线；两个堆叠的晶体管，串联在第一电源线和地线之间；第一电阻，连接在所述第一电源线和第一节点之间；第一晶体管和电容器，串联连接在所述第一节点和所述地线之间；第二晶体管，连接在所述第二电源线和第二节点之间；第三晶体管，连接在所述第一电源线和第三节点之间；反相器，连接在所述第三节点和地线之间，并且具有连接到所述第二节点的输入；第四晶体管，连接到所述第一电源线，并且具有连接到所述第二节点的栅极；第五晶体管，连接在所述第二电源线和所述第三节点之间，并且具有连接到所述第四晶体管的一端的栅极。

公开(公告)号：CN101350348B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810108758.1

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金汉求 ,  张成必

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 一种在第一焊盘和第二焊盘之间的静电放电电路，包括：一静电放电电路元件，包括双极晶体管路径和电阻器路径，该静电放电电路元件通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。本发明还涉及一种使由静电放电事件引起的静电电流耗散的方法，包括通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。

公开(公告)号：CN1825588B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200610005724.0

申请日：2006-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  金汉求 ,  张成必

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0262

Abstract: 一种在第一焊盘和第二焊盘之间的静电放电电路，包括：一静电放电电路元件，包括双极晶体管路径和电阻器路径，该静电放电电路元件通过双极晶体管路径和电阻器路径交替地使静电电流放电。本发明还涉及一种使由静电放电事件引起的静电电流耗散的方法。

公开(公告)号：CN100541800C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200480041393.5

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙 ,  权俸载 ,  权银景

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 提供一种缓冲器电路，包括：上拉电路和下拉电路，被配置成分别选择性地上拉和下拉输入/输出焊盘的电压，所述上拉电路和下拉电路连接到单独的电源线以便当在所述输入/输出焊盘上接收到静电放电时不存在通过所述上拉电路的、从所述输入/输出焊盘到所述下拉电路的电流路径。

公开(公告)号：CN1829411A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610009480.3

申请日：2006-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全灿熙

IPC: H05F3/00

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 一种连接在至少三个端子之间的静电放电电路，该静电放电电路包括至少一个静电放电电路元件，该静电放电电路元件进一步包括包含处于浮动状态的主体的至少一个电路元件。处于浮动状态的主体可以提供对静电电流放电的通路。该静电放电电路可以是一个上拉电路、多个上拉电路、一个下拉电路、多个下拉电路、一个电源箝位、多个电源箝位、或者其他类似的电路或多个电路。至少三个端子可以包括一个或多个电源端、一个或多个接地端、和/或一个或多个I/O端。