公开(公告)号：CN1752844B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200510106920.2

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  金贤友 ,  畑光宏 ,  禹相均

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

Abstract: 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机-无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。

公开(公告)号：CN100595670C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200510064902.2

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 畑光宏 ,  夏政焕 ,  金贤友 ,  禹相均

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件制造的掩膜图案，其包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案、和在抗蚀图案上形成的共聚体复合膜，其中共聚体复合膜包括通过在质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络。

公开(公告)号：CN101067605A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710100990.6

申请日：2007-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  池圣敏 ,  金京善 ,  金嫒善

IPC: G01N21/64 ,  G01N33/52 ,  C12Q1/68

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00529 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00608 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00617 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00722

Abstract: 一种具有提高的信噪比的低聚物探针阵列，包括衬底，在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区，该多个探针单元有源区的每一个具有基本上平坦的表面并以自己的序列与至少一个低聚物探针耦合，以及限定探针单元有源区并且没有用于与表面上的低聚物探针耦合的官能团的探针单元隔离区。

公开(公告)号：CN1790161A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510125198.7

申请日：2005-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  姜律 ,  柳万馨 ,  李时镛 ,  禹相均

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  C08F38/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供包括具有sp3碳主架的聚合物的聚合薄膜，sp3碳主架包括四面体中心原子。还提供了形成该聚合薄膜的方法、包括该聚合薄膜的硬掩膜以及使用该聚合薄膜形成精细图形的方法。

公开(公告)号：CN1721986A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510064902.2

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 畑光宏 ,  夏政焕 ,  金贤友 ,  禹相均

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件制造的掩膜图案，其包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案、和在抗蚀图案上形成的共聚体复合膜，其中共聚体复合膜包括通过在质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络。