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公开(公告)号：CN1752844A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106920.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
Abstract: 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机－无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机－无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。
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公开(公告)号：CN1684229A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064908.X
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了包括自组装分子层的掩膜图案、形成它的方法和制造半导体器件的方法。掩膜图案包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案和在抗蚀图案的至少侧壁上形成的自组装分子层。为形成掩膜图案，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开孔的抗蚀图案以暴露底层至第一宽度。然后，在抗蚀图案的表面上选择性地形成自组装分子层以暴露底层至比第一宽度小的第二宽度。使用抗蚀图案和自组装分子层作为蚀刻掩膜蚀刻底层，从而得到精细图案。
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公开(公告)号：CN1752844B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200510106920.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
Abstract: 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机-无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1752846B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200510106911.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN1912745A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610101176.1
申请日：2006-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0752 , G03F7/2041
Abstract: 提供了阻挡聚合物、引入这种聚合物的阻挡涂敷组合物以及利用这种阻挡涂敷组合物抑制浸渍光刻过程中光刻胶成分溶解的方法。该阻挡聚合物可以由包括至少一个单体的一种或多种单体合成，该单体具有三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基以及将具有5,000至200,000道尔顿的重量平均分子量(Mw)。该阻挡聚合物可以与一种或多种有机溶剂结合，以形成可以被涂敷到光刻胶层的阻挡涂敷组合物，从而形成在曝光处理过程中充分地抑制成分如PAG溶解到浸渍介质中的阻挡涂层。该三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基单体可以与其他单体结合，具体，包括一个极性基团的单体，用于改进，例如，所得阻挡涂层在显影液中的疏水性和/或可溶性。
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公开(公告)号：CN1734352A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶－凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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公开(公告)号：CN1734352B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶-凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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公开(公告)号：CN1752846A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106911.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
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