公开(公告)号：CN1146028C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN00134222.3

申请日：2000-10-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金慧东

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/768

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621

Abstract: 薄膜晶体管的制造方法。首先在衬底上形成有源层，之后，在有源层上形成第一绝缘层。之后，在第一绝缘层上形成栅极图形，并用栅极图形作掩模给有源层进行离子轻掺杂而形成轻掺杂漏极区。用电化学聚合工艺在栅极图形表面上形成聚合物层，用淀积有聚合物层的栅极图形给有源层进行离子重掺杂而形成源级和漏极接触层。之后，第一绝缘层表面上形成覆盖栅极图形的第二绝缘层。通过绝缘层形成接触孔、并在接触孔中溅射金属材料，形成源极和漏极电极。

公开(公告)号：CN1127126C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN00134003.4

申请日：2000-12-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金慧东

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤：在衬底上沉积一缓冲层和有源层；在该有源层上沉积一绝缘层并在其上形成栅电极；在栅电极的光刻胶层涂覆栅电极的侧面；在有源层的两边形成接触层，将涂覆的栅电极用作掩模；在有源层处形成轻掺杂的漏极区域；在栅电极的上表面沉积一层间绝缘层并在其预定部分形成接触孔来暴露接触层；通过在一第一金属层/ITO层/第二金属层的三层薄膜的接触孔上依次沉积和构造形成源电极、漏电极和像素电极。