-
公开(公告)号：CN1329997C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03108621.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。
-
公开(公告)号：CN100403492C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410081921.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/395 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369 , Y10S977/773 , Y10T428/31504
Abstract: 提供了一种施主薄片，包括：底膜；以及转移层，所述转移层排列在所述底膜的一侧并且是可转移的，其中所述转移层包括多个被排列成大约彼此平行的P型或N型毫微粒子。其中所述转移层包括具有多根经纱和纬纱的机织织物，所述毫微粒子位于所述经纱和纬纱之一内。本发明还提供一种制造施主薄片的方法、一种制造薄膜晶体管的方法、以及一种制造具有发射区和选择驱动电路的平板显示器的方法。
-
公开(公告)号：CN1276400C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410003328.5
申请日：2004-01-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/00 , G09G3/00 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1296 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。
-
公开(公告)号：CN1452252A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03108621.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。
-
公开(公告)号：CN1305223A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00134003.4
申请日：2000-12-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金慧东
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/458 , H01L29/78621
Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤:在衬底上沉积一缓冲层和活动层;在该活动层上沉积一绝缘层并在其上形成门电极;在门电极的光阻层涂覆门电极的侧面;在活动层的两边形成接触层,将涂覆的门电极用作掩摸;在活动层处形成轻掺杂的漏极区域;在门电极的上表面沉积一层间绝缘层并在其预定部分形成接触孔来暴露接触层;通过在一第一金属层/ITO层/第二金属层的三层薄膜的接触孔上依次沉积和构造形成源电极、漏电极和像素电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1294411A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00134222.3
申请日：2000-10-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金慧东
IPC: H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78621
Abstract: 薄膜晶体管的制造方法。首先在衬底上形成有源层,之后,在有源层上形成第一绝缘层。之后,在第一绝缘层上形成栅极图形,并用栅极图形作掩模给有源层进行离子轻掺杂而形成轻掺杂漏极区。用电化学聚合工艺在栅极图形表面上形成聚合物层,用淀积有聚合物层的栅极图形给有源层进行离子重掺杂而形成源级和漏极接触层。之后,第一绝缘层表面上形成覆盖栅极图形的第二绝缘层。通过绝缘层形成接触孔、并在接触孔中溅射金属材料,形成源极和漏极电极。
-
公开(公告)号：CN1802054A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510125478.8
申请日：2005-11-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L27/3244 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 公开了一种EL装置及其制造方法。EL装置包括：第一有机发光晶体管和第二有机发光晶体管，其中第一有机发光晶体管包括：第一源电极；与第一源电极面对的第一漏电极；包括至少一层发射层的第一中间层，该发射层位于第一源电极和第一漏电极之间；和与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层；并且第二有机发光晶体管包括：第二源电极；与第二源电极面对的第二漏电极；包括至少一层发射层的第二中间层，该发射层位于第二源电极和第二漏电极之间；和与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。
-
公开(公告)号：CN1728404A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510098062.1
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78681 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种改进的薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管能在室温下形成且有源层和源电极及漏电极之间的接触电阻得到改善，且还提供一种利用该TFT的平板显示器件。该TFT包括：有源层，该有源层包括至少两层纳米粒子层，所述纳米粒子层包括至少一种纳米粒子类型；插在纳米粒子层之间的绝缘层；与有源层绝缘的栅电极；以及在各自的沟道中形成的源电极及漏电极，源电极及漏电极接触有源层的纳米粒子层之一。该TFT的结构使多个不同类型的TFT的同时生产变得容易。
-
公开(公告)号：CN1707812A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510081791.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/20 , G02F1/136 , G09G3/38
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3244 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , H01L51/0541
Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)，其包括：栅极；均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中该有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。
-
公开(公告)号：CN1694278A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510054705.2
申请日：2005-03-14
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0545 , H01L51/0583
Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT)，其包括：有机半导体膜；与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.026 seconds)
