公开(公告)号：CN100464395C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200580031218.2

申请日：2005-10-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 熊田辉彦 ,  保田直纪 ,  信时英治 ,  松本纪久 ,  松野繁

IPC: H01L21/312 ,  C23C16/38 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/38 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1-R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1-4的烷基，链烯基或炔基，并且R1-R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。

公开(公告)号：CN101023516A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031218.2

申请日：2005-10-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 熊田辉彦 ,  保田直纪 ,  信时英治 ,  松本纪久 ,  松野繁

IPC: H01L21/312 ,  C23C16/38 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/38 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1－R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1－4的烷基，链烯基或炔基，并且R1－R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。