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公开(公告)号：CN111326395A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911265106.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。
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公开(公告)号：CN109427561A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810971378.4
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
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公开(公告)号：CN107026081A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610873459.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN105489483A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510634852.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。
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公开(公告)号：CN110581050B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111508831B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010045816.1
申请日：2020-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN108885990B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780020009.0
申请日：2017-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4)，一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3)，并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻，该序列(SQ3)包括：工序(ST9a)，通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合物覆盖掩膜(MK4)；工序(ST9b)，生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层(EL)的表面的原子层形成含有自由基的混合层(MX2)；及(ST9d)，生成Ar气体的等离子体并施加偏置电压来除去混合层(MX2)。
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公开(公告)号：CN109923648B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201780068805.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
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公开(公告)号：CN109155252B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201780031969.7
申请日：2017-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值，在步骤(SB6)中，利用表示被处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节被处理层(J1)的温度，以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度，利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜，将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2)，按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值。
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公开(公告)号：CN108511389B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810167763.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至‑20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。
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