高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法

    公开(公告)号:CN113938041A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111191682.5

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 本发明公开一种用于高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法,高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器主电路的输出电流通过二阶巴特沃斯低通滤波器,滤除高频电流谐波,得到滤波后的电流;滤波后的电流和调制波输入域划分模块,获得区间号。同时,上、中、下载波和调制波输入原始驱动脉冲产生模块,获得六路原始驱动信号,并输入到冗余脉冲剔除模块,获得六路剔除冗余脉冲的驱动信号。本发明的高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法,不需要加入死区,可以完全避免死区效应,降低了输出电流谐波、减小了驱动电路的损耗。

    一种抑制并网逆变器频率耦合效应的低带宽对称锁相方法

    公开(公告)号:CN111525922A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010397117.3

    申请日:2020-05-12

    Abstract: 本发明公开了一种抑制并网逆变器频率耦合效应的低带宽对称锁相方法,该方法构建了一种低带宽且控制结构对称的锁相环小干扰模型,通过鉴相器、环路滤波器和压控振荡器实现,鉴相器将输入的三相扰动电压经过正反Park变换,环路滤波器将鉴相器输出的电网电压d、q轴小扰动分量分别经过比例积分调节器,输出的两角频率经积分环节后反馈给鉴相器,压控振荡器对环路滤波器输出的角频率分量求平均值并积分运算,获得小扰动输出。本发明能够明显降低锁相环回路带宽且控制结构对称,当电网电压出现次同步扰动分量时,能够明显抑制并网逆变器电流响应中的频率耦合分量的幅值,进而增强系统稳定性,对于开展系统的稳定性分析具有较好的借鉴意义。

    基于MSOGI-FLL的T型三电平逆变器死区误差电压补偿方法

    公开(公告)号:CN109039125B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201810939795.0

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开一种基于MSOGI‑FLL的T型三电平逆变器死区误差电压补偿方法,通过检测T型三电平逆变器的三相输出电流,获取三相测量电流;通过CLARK变换模块将三相静止坐标系的三相测量电流变换到两相静止坐标系的测量电流;通过MSOGI‑FLL模块对两相静止坐标系的测量电流进行锁频并滤除谐波和高频噪声,获得基波电流信号;通过CLARK反变换模块将两相静止坐标系的基波电流信号变换为包含有准确电流极性信息的三相电流给定信号;三相电流给定信号、死区误差电压平均值及三相电压调制波同时输入调制波调整模块,获得幅值调整后的电压调制波,对死区误差电压进行补偿。本发明利用MSOGI‑FLL模块准确检测过零点处的电流极性,有效提高T型三电平逆变器的误区误差电压补偿精度。

    基于DSOGI-FLL的三相变流器无死区半周调制方法

    公开(公告)号:CN108111034A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201710438417.X

    申请日:2017-06-12

    Abstract: 本发明公开一种基于DSOGI‑FLL的三相变流器无死区半周调制方法,将三相变流器电流信号进行克拉克变换;通过DSOGI‑FLL模块对两相电流信号进行滤波锁频处理,得到基波电流信号及其正交信号,并进行克拉克反变换;在半周调制模块中,对电压调制信号与载波信号进行比较处理,获得初始驱动信号;根据反变换后基波电流信号的电流极性分配初始驱动信号,得到可随反变换后基波电流信号的电流极性交替使能的无死区半周驱动信号,控制三相变流器实现无死区半周调制。本发明的无死区半周调制方法可在三相电流平衡、不平衡和存在谐波条件下准确地获取电流极性,实现三相变流器的无死区半周调制,减小电流过零点畸变。

    一种基于DSP的低电压穿越区域通用判断方法

    公开(公告)号:CN107302228A

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201710548700.8

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 本发明公开一种基于DSP的低电压穿越区域通用判断方法。在DSP初始化程序中设定低电压穿越区域的形状,低电压穿越区域判断在DSP定时器中断函数中执行。定义时间计数变量并赋予初值。在每次执行中断函数时,测量并网点电压标幺值,根据并网标准中所规定的低电压穿越区域形状计算时间递减步长。时间计数变量减去时间递减步长,用于判断系统处于低电压穿越区域的内部或外部,进而执行相应的控制策略。本发明采用时间计数变量递减的方法对低电压穿越区域进行判断,时间递减步长随电压跌落的程度而改变,判断方法通用性强,适用于不同并网标准对低电压穿越区域的要求,可以为低电压穿越控制提供便利。

    SiC器件五电平分裂逆变器脉冲剔除调制方法及系统

    公开(公告)号:CN119628446B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510168581.8

    申请日:2025-02-17

    Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件五电平分裂逆变器脉冲剔除调制方法及系统,根据设定基准信号生成两组反向层叠载波,根据两组反向层叠载波和设定调制波的大小生成两个不同的载波信号,根据悬浮电容实际电压与期望下限阈值和期望上限阈值生成两个辅助调制波,根据设定调制波的大小生成低频驱动信号,根据每相输出电流的大小、辅助调制波和载波信号生成每相高频驱动信号。仅在半个基波周期为高频驱动信号,另半个周期为低频驱动信号,有效降低驱动电路损耗,各高频驱动信号之间无需加入死区时间,从源头上避免死区效应,减小电流输出谐波,降低电流畸变,提升输出电流质量;通过辅助调制波的调节作用保持悬浮电容电压平衡。

    多过零点驱动空缺区消除调制的电能质量提升方法及系统

    公开(公告)号:CN119093506B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411581214.2

    申请日:2024-11-07

    Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,涉及一种多过零点驱动空缺区消除调制的电能质量提升方法及系统,方法步骤为:三相电网电压两相静止坐标变换;计算电网电压的相位角关系;根据相位角关系将三相畸变电流和三相输出电流进行两相旋转坐标变换;根据两相畸变电流和过滤两相畸变电流获得的两相正弦电流得到两相指令电流;根据直流侧参考电压和实际电压、两相指令电流和两相输出电流得到两相指令电压;根据相位角关系反坐标变换两相指令电流和两相指令电压;根据指令电压、载波周期、直流侧实际电压得到初始调制波;根据调整初始调整波得到的最终调制波和正负载波的大小生成驱动信号。本发明有效消除调制中驱动空缺区,减小谐波畸变率,提高电能质量。

    SiC器件分裂逆变器双调制波调制方法及系统

    公开(公告)号:CN118381367A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410469392.X

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件分裂逆变器双调制波调制方法及系统,根据模拟母线变化的两个交流电压源的电压、直流母线电容的电压、原始载波得到跟随电容电压变化的三个层叠载波;根据交流电压源和直流母线电容的电压和三个层叠载波得到单载波;依据参考电流的极性、原始调制波、设定幅值生成辅助调制波;根据模拟母线变化的两个交流电压源的电压、直流母线电容的电压、原始调制波生成第一调制波,根据模拟母线变化的两个交流电压源的电压、直流母线电容的电压、辅助调制波生成第二调制波;根据原始调制波和辅助调制波的大小、第一调制波、第二调制波选择调制波,根据参考电流、单载波、选择的调制波生成驱动信号。本发明一方面使用双调制波消除死区效应,减小电流输出谐波,降低电流畸变,能够使调制策略在母线电压波动条件下输出波形良好的电流波形,提升电能质量;另一方面,仅使用一个固定幅值的三角载波,其幅值无需随母线电压波动而变化,易于在数字控制器中实现。

    一种多电平串联型隔离降压DC/DC变换器

    公开(公告)号:CN118041099A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202311863947.0

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明提供了一种多电平串联型隔离降压DC/DC变换器,包括两个变压器,变压器的原边为单绕组,副边为双绕组,两个变压器的原边串联后连接一个LLC谐振电路,完成隔离与调压,LLC谐振电路另一侧连接一个飞跨电容钳位串联结构的九电平开关网络,降低电压应力,两个变压器副边均依次连接一个整流桥和一个BUCK电路,两个BUCK电路的输出端交错并联,Buck电路负责闭环稳压调节,实现该变换器的高增益降压。本发明相比传统LLC变换器电压应力显著降低,可以实现更宽的电压范围输入和高增益降压,显著降低开关损耗,提升变换器效率。

    SiC器件四电平分裂输出逆变器半周分时调制方法及系统

    公开(公告)号:CN117674558A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311651297.3

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明属于电力电子技术领域,本发明涉及一种SiC器件四电平分裂输出逆变器半周分时调制方法及系统,在正半周注入调制波过程中,根据上、中、下直流母线电压源获得正半周注入后的调制波;在负半周注入调制波过程中,根据上、中、下直流母线电压源获得负半周注入后的调制波;在正半周驱动信号分时产生过程中和负半周驱动信号分时产生过程中,分别获得正半周分时比较的驱动信号和负半周分时比较的驱动信号;最终通过驱动脉冲信号选择环节,获得开关管的驱动信号。本发明使SiC器件四电平分裂输出逆变器的SiC MOSFET开关管分时工作,降低开关管损耗、提升输出电流质量。

Patent Agency Ranking