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公开(公告)号：CN107385306A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201610325843.8
申请日：2016-05-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C22C33/02
CPC classification number: C22C33/0292
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅颗粒增强316L不锈钢基复合材料及其制备方法，所述碳化硅增强316L不锈钢基复合材料包括316L不锈钢基体和均匀分布于316L不锈钢基体中的碳化硅颗粒，所述碳化硅颗粒的体积分数为2～30%。本发明将原料粉体配制为浆料并以KD-1聚酯聚胺复合分散剂进行球磨，使得碳化硅颗粒与金属粉体充分混合，避免团聚的出现，并使得球磨后的粉体具有更大的比表面积，利于后期的烧结致密；且进行热压烧结，由此可以得到具有高致密度、高强度的碳化硅颗粒增强不锈钢基复合材料。本发明制备方法过程简单，制备周期短，材料致密度高、强度高。
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公开(公告)号：CN107235729A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710355530.1
申请日：2017-05-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , H01C7/118
Abstract: 本发明涉及一种高纯SiC压敏陶瓷，所述SiC压敏陶瓷的密度为3.21±0.01gcm‑3，在20～100℃内伏安特性保持不变，所述SiC压敏陶瓷的制备方法包括：将SiC粉体置于石墨坩埚体的底部，控制粉体孔隙率为50～70%；于真空中升温至1200～1400℃以排除SiC粉体吸附的杂质；通入惰性气氛并继续升温至2100～2300℃，控制压力为103～105Pa，控制沿石墨坩埚高度方向的温度梯度为2.5～4 ℃/cm，保温30～120分钟，采用物理气相传输方法在所述石墨坩埚的顶盖的内表面上生长所述SiC压敏陶瓷。
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公开(公告)号：CN106342255B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910123911.2
申请日：2009-11-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及高能激光系统用常压烧结碳化硅反射镜及其制备方法，属于高能激光领域。其特征在于采用常压烧结的碳化硅材料来制备水冷式碳化硅反射镜。包括微通道的制备、超薄底板和基板的制备与连接、镜面的高致密低应力表面改性、低吸收高反射膜层制备。采用常压烧结工艺制备碳化硅底板和基板，通过数控加工或超声、激光方法制备水冷微通道结构，通过活性金属焊接的方法实现底板和基板的连接，通过离子束、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺制备镜面的表面改性层和反射膜层。本发明提供的碳化硅反射镜具有热膨胀系数低、热导率高、比刚度高、热量耗散快、反射镜面受振动和水压影响小、变形量小的优点，利于提高激光系统的光束质量。
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公开(公告)号：CN117986020B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410093300.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体及成型方法。所述液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体包括碳化硅、烧结助剂与粘结剂；其中，以所述碳化硅和烧结助剂总质量为100wt％计，所述碳化硅的含量为91～95wt％，所述烧结助剂的含量为5～9wt％；所述粘结剂含量为碳化硅与烧结助剂总质量的2～6wt％；所述液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体的粒径范围为10～100μm，休止角为28°～31°。
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公开(公告)号：CN116874305B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310646180.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/591 , C04B35/596 , C04B35/622 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及一种Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法。所述Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料包括：Si3N4基体透波相与SiC‑Zr2CN吸波相；其中，所述Si3N4基体透波相的含量为40～70wt％，SiC‑Zr2CN吸波相的含量为30～60wt％，Zr2CN的含量为1～25wt％，优选为2～20wt％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116655390A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310654301.5
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/584
Abstract: 本发明涉及一种磁电耦合陶瓷吸波材料及其制备方法。所述磁电耦合陶瓷吸波材料包含透波相Si3N4、介电损耗相SiC和磁损耗相FeSix组成；其中1/3≤x≤2。
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公开(公告)号：CN103553616A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310504623.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/524 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；（3）交联固化：将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN101581552A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910051660.1
申请日：2009-05-21
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: F28F1/00 , C04B35/622 , C04B35/565 , C04B35/63 , C04B35/64
CPC classification number: F28F21/04
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅热交换管及其制备方法，属于工程陶瓷材料技术领域。本发明采用固相或液相烧结助剂，经均匀混合的亚微米级碳化硅粉体为原料粉体，以纤维素为有机塑化剂，以及其他润滑剂、分散剂和消泡剂等，通过真空练泥、陈腐和挤出成型获得管材坯体。坯体经过干燥、热处理和高温烧结。烧结后的碳化硅热交换管，直度小于2.5mm/m，等效外径小于400mm，径厚比可以为5～20，致密度高，热导率高，热膨胀系数低，热交换效率高，能够广泛应用于石油化工、冶金、轻工等行业的关键热交换器部件。
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公开(公告)号：CN101402220A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810202870.1
申请日：2008-11-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B28B3/12
Abstract: 本发明涉及一种泡沫陶瓷的自动对辊挤压机，属于泡沫陶瓷制备领域。本发明包括动力系统、挤压系统、送料接料系统、辊距调节系统、浆料回收系统、速度调节系统组成，链轮结构带动同步垂直升降螺栓可以很好的解决挤压过程中辊距调节问题，同时读数机构可以精确显示辊距；变频器调速可以解决生产工艺中对转速的要求；浆料回收装置可以提高原料利用率，节约成本。整个装置自动化程度高，效率优化。
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公开(公告)号：CN117986020A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410093300.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体及成型方法。所述液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体包括碳化硅、烧结助剂与粘结剂；其中，以所述碳化硅和烧结助剂总质量为100wt％计，所述碳化硅的含量为91～95wt％，所述烧结助剂的含量为5～9wt％；所述粘结剂含量为碳化硅与烧结助剂总质量的2～6wt％；所述液相烧结碳化硅陶瓷密封环素坯成型用粉体的粒径范围为10～100μm，休止角为28°～31°。
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