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公开(公告)号：CN102605344B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
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公开(公告)号：CN103718277A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037156.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。
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公开(公告)号：CN102884348B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN102257181B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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公开(公告)号：CN103003925A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034216.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/18 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102803566A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080028604.7
申请日：2010-05-12
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置。其特征在于，该氟气生成装置具有用于在由含有氟化氢的熔融盐构成的电解液中电解氟化氢的电解槽，通过利用与电解槽上部的配管相连接的回流装置使伴随着气体的产生的熔融盐的雾沫和从熔融盐气化得到的氟化氢气体液化回流，使氟化氢及熔融盐的雾沫返回电解槽中。
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公开(公告)号：CN102369311A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014702.5
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其包括用于除去自熔融盐气化而混入到在阳极(7)处生成的主生成气体的氟化氢气体的精制装置，精制装置是并列配置至少两台以上的，其包括供包含氟化氢气体的主生成气体流入的气体流入部和用于冷却流入部的冷却装置，该冷却装置使混入到主生成气体的氟化氢气体凝固并且使氟气通过气体流入部，控制装置基于用于检测在气体流入部处的氟化氢的累积状态的累积状态检测器的检测结果进行精制装置的运转切换，以向待机状态的精制装置引导氟气，通过从由于运转切换而停止的精制装置的气体流入部排出氟化氢并向气体流入部供给氟气，从而使停止中的精制装置处于待机状态。
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公开(公告)号：CN102257181A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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公开(公告)号：CN102164857A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138501.3
申请日：2009-10-27
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C01G17/04
CPC classification number: C01G17/04
Abstract: 本发明提供四氟化锗的制造方法，其包括以下工序：向填充有金属锗和稀释气体的反应器中供给氟气的工序；使从反应器放出的气体通过冷却捕集器从而捕集作为反应产物的四氟化锗的工序；使通过冷却捕集器的气体再次返回到反应器而使其循环的工序。通过这样使气体在封闭体系中循环，能够安全且高效地制造四氟化锗。
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公开(公告)号：CN104024715B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280065306.4
申请日：2012-12-20
CPC classification number: F17C13/04 , F16L19/0212 , F17C2205/0305 , F17C2205/0373 , F17C2205/0394
Abstract: 一种气体充填容器用接头(100)，其包含：主体部(1)，其设置于对充填于气体充填容器中的气体的遮断与供给进行切换的容器源阀侧；管塞(2)，其连接于用于向外部引导充填于气体充填容器中的气体的配管(3)；盖构件(4)，其紧固于主体部的外周，用于向主体部按压管塞；及垫片(5)，其在盖构件的紧固力的作用下被压缩而介于主体部与管塞之间；且该气体充填容器用接头利用垫片将设置于主体部中的气体流路(7)与设置于管塞中的气体流路(8)之间密封连接起来；垫片包含：金属制的密封环(51)，其被压缩于主体部与管塞之间；及壳体(52)，其与密封环设为一体且包围密封环的外周。
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