公开(公告)号：CN114981481A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080092086.9

申请日：2020-11-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  野村凉马 ,  吉村亮太

IPC: C23C26/00

Abstract: 本公开的金属材料具备金属基材和覆膜，所示覆膜设置于上述金属基材的表面且含有含氟钼化合物，上述含氟钼化合物由通式MoOxFy(x为0～2的数、y为2～5的数)表示。

公开(公告)号：CN104969333A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007116.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  涉仁纪

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。

公开(公告)号：CN102713009A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080060752.7

申请日：2010-11-30

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  八尾章史 ,  宫崎达夫 ,  德永敦之

IPC: C25B9/00 ,  C25B1/24

CPC classification number: C25B1/245 ,  C01B7/20 ,  C25B9/00 ,  C25B15/08 ,  F17C7/04

Abstract: 本发明涉及一种氟气生成装置，其具备：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；以及精制装置，其使用冷却介质，使从电解槽的熔融盐中气化而混入到由阳极生成的主产气体中的氟化氢气体凝固并捕集，从而精制氟气；在精制装置中为了凝固氟化氢气体而被使用并被排出的冷却介质作为氟气生成装置的各处中使用的公用气体再利用。

公开(公告)号：CN102046521A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120420.0

申请日：2009-04-28

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇

IPC: C01B11/24

CPC classification number: C01B11/24 ,  C01B7/24

Abstract: 本发明提供一种含氧卤代氟化物的制造方法，其通过使通式：XF所示的氟化卤与H2O源反应来制造通式：XO2F所示的含氧卤代氟化物。其中，X表示Cl、Br、I中的任一种卤族元素。

公开(公告)号：CN101883623A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880119103.2

申请日：2008-10-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇

IPC: B01D53/14 ,  B01D53/34 ,  B01D53/68 ,  B01D53/77

CPC classification number: B01D53/68 ,  B01D53/77 ,  B01D2251/304 ,  B01D2251/306 ,  B01D2251/60 ,  B01D2257/204 ,  B01D2258/0216 ,  C01B7/0706 ,  C01B7/195

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将气体中的ClO3F除去的廉价的除去方法。通过使含有ClO3F作为杂质的气体与还原剂反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。或者，通过使用在水溶液中的标准电极电势为-0.092V以下的还原剂、或者将还原剂在水溶液的状态下用于反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。

公开(公告)号：CN117642843A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280046166.X

申请日：2022-06-29

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  品川诚人

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明通过使含卤素气体与沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx(其中，x表示大于0且小于6的数)的部件接触，从所述部件去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除方法、以及包括该去除方法的半导体器件的制造方法，提供一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入MoF6中的MoFx、或MoFx和MoOFx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法，以及一种半导体器件的制造方法，其包括从沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx的半导体器件制造装置去除该沉积物或覆盖物的工序，并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。

公开(公告)号：CN115803313A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180048843.7

申请日：2021-08-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 泽村凉介 ,  大森启之 ,  菊池亚纪应 ,  玉井直史 ,  谷口敬寿 ,  八尾章史

IPC: C07C209/84

Abstract: 本公开的目的在于，提供一种使粗三烷基胺中的二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺、乙基异丙基胺的浓度降低的新型的方法。本公开为一种三烷基胺的纯化方法，其特征在于，使包含选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种作为杂质的粗三烷基胺与沸石接触，使上述粗三烷基胺中的选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种的浓度比上述沸石接触前降低。

公开(公告)号：CN104969333B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201480007116.6

申请日：2014-01-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  涉仁纪

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。

公开(公告)号：CN102046521B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980120420.0

申请日：2009-04-28

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  毛利勇

IPC: C01B11/24

CPC classification number: C01B11/24 ,  C01B7/24

Abstract: 本发明提供一种含氧卤代氟化物的制造方法，其通过使通式：XF所示的氟化卤与H2O源反应来制造通式：XO2F所示的含氧卤代氟化物。其中，X表示Cl、Br、I中的任一种卤族元素。

公开(公告)号：CN102782491A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011851.0

申请日：2011-02-21

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  德永敦之

IPC: G01N31/12 ,  G01N1/10 ,  G01N31/00

CPC classification number: G01N31/007

Abstract: 本发明涉及通式：XF·nHF(式中，X表示K、NH4、Na、Li中的任意一种，n表示大于0的有理数。)表示的含氟化氢的化合物的含水量的测定方法，其特征在于，包括以下工序：将含氟化氢的化合物加热分解的工序；对通过加热分解而产生的热分解气体中的含水量进行定量，从而求出含氟化氢的化合物中的含水量的工序。通过本测定方法，能够以良好的精度对含氟化氢的化合物XF·nHF中的含水量进行定量。