公开(公告)号：CN111613631B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202010105808.1

申请日：2020-02-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 乾文洋 ,  岩田旬史 ,  池田一 ,  福田浩一 ,  冈本康平

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。

公开(公告)号：CN109585475B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201811143651.0

申请日：2018-09-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 樱井克仁 ,  高田佳明 ,  白井誉浩 ,  小林秀央 ,  中村恒一 ,  吉田大介 ,  乾文洋

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了半导体装置和器械。半导体装置包括第一芯片和第二芯片的堆叠，第一芯片和第二芯片各自具有以矩阵形式布置的多个像素电路。第a行第e1列的像素电路连接到第p行第v列的电路。第a行第f1列的像素电路连接到第q行第v列的电路。第a行第g1列的像素电路连接到第r行第v列的电路。第a行第h1列的像素电路连接到第s行第v列的电路。

公开(公告)号：CN111613631A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010105808.1

申请日：2020-02-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 乾文洋 ,  岩田旬史 ,  池田一 ,  福田浩一 ,  冈本康平

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。

公开(公告)号：CN106851137B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201611093042.X

申请日：2016-12-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坪井俊纪 ,  高堂寿士 ,  市川武史 ,  繁田和之 ,  乾文洋 ,  小林昌弘 ,  大贯裕介 ,  川端一成

IPC: H04N5/355

Abstract: 本发明提供一种用于驱动摄像装置的方法。在将电荷保持在第一电荷保持单元中的状态下，在多个像素行中同时开始光电转换单元中的电荷的累积，并且，在所述多个像素行中同时进行用于将电荷从光电转换单元传输到第一电荷保持单元的第一传输操作。

公开(公告)号：CN103579274B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310345012.3

申请日：2013-08-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩田旬史 ,  乾文洋 ,  渡边高典 ,  篠原真人

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。

公开(公告)号：CN1252800C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03158585.X

申请日：2003-09-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板野哲也 ,  乾文洋 ,  小仓正德

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F7/70466 ,  H01L27/146

Abstract: 在存在着具有跨越和不跨越连接位置的区域的布线层的半导体器件中，由于在用连接曝光形成具有跨越连接位置的区域的布线层时，考虑对准裕度进行图形形成，故比起用成批曝光工艺形成的情况来，在布线宽度、布线间间隔方面是不利的。在具有多个布线层的半导体器件的制造方法中，其特征在于：第1布线层，采用把所希望的图形分割成多个，把上述分割后的图形彼此连接起来进行曝光的办法进行图形形成，第2布线层，采用用成批曝光工艺的办法进行图形形成。

公开(公告)号：CN1233784A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99101810.9

申请日：1999-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 乾文洋 ,  樱木孝正 ,  小冢开

IPC: G03G5/00 ,  H04N1/03

CPC classification number: H04N1/40056

Abstract: 一种具有多个光接收元件的图象检测器芯片包括:一个噪声减小电路,用于在一种导通状态下减小包含在来自所述光接收元件的输出信号中的随机噪声并在一种关断状态下输出包含在来自所述光接收元件的输出信号中的未经处理的随机噪声;第一控制电路,用于控制所述噪声减小电路的通/断状态;一个箍位电路,用于把通过所述噪声减小电路输出的输出信号箝位到一个基准电位;以及,一个第二控制电路,用于控制所述箝位电路的通/断状态。