公开(公告)号：CN110931517B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201910887836.0

申请日：2019-09-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明提供光检测装置。根据实施例的光检测装置包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；第二半导体区域，其具有第二导电类型；第三半导体区域，其具有第一导电类型；以及电路单元，其被构造为对雪崩电流的生成次数进行计数，其中，用于引起信号电荷的雪崩倍增的反向偏压被施加到第二半导体区域和第三半导体区域，并且当形成势垒时在第一半导体区域中累积信号电荷，其中，控制单元控制势垒的高度。

公开(公告)号：CN102629554B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210020142.5

申请日：2012-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手塚智之 ,  篠原真人 ,  川端康博

IPC: H01L21/266 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。

公开(公告)号：CN104485340A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410655549.4

申请日：2012-02-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加藤太朗 ,  下津佐峰生 ,  佐野博晃 ,  市川武史 ,  关根康弘 ,  篠原真人 ,  门间玄三

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。

公开(公告)号：CN102629554A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210020142.5

申请日：2012-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 手塚智之 ,  篠原真人 ,  川端康博

IPC: H01L21/266 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括：使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶；显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案；以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中，以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。

公开(公告)号：CN101510963B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910007437.7

申请日：2009-02-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩田公一郎 ,  高桥秀和 ,  篠原真人 ,  板野哲也 ,  樱井克仁 ,  加藤智

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/3598 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明公开一种光电转换装置和成像系统。所述光电转换装置包含：包含具有与信号线连接的源极和与电源连接的漏极的MOS晶体管的削减单元，且所述削减单元将信号线的电位削减到与源极的电位对应的电位；具有第一电极和第二电极的保持电容，第一电极与MOS晶体管的栅极连接，且所述保持电容至少保持在电荷电压转换器已被复位时被传送到信号线的电压；和偏移单元，所述偏移单元沿着使得第二电极的电位接近当电荷电压转换器已被复位时要被传送到信号线的电平的方向，使第二电极的电位偏移。

公开(公告)号：CN1497955A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100053.2

申请日：2003-10-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H04N5/335

Abstract: 一种固体摄像装置，是包括具有多个光电变换元件、和接收该多个光电变换元件的信号电荷并输出信号的1个放大元件的单位格子，将多个该单位格子排列而成的固体摄像装置；其特征在于：包括连接在该放大元件的输出线上、经由该输出线输入从该单位格子输出的信号的读出电路系统；上述读出电路系统包括差分装置，该差分装置输入对应于上述放大元件的输入部的复位电平的第1信号，在上述第1信号上叠加了对应于存储在上述多个光电变换元件当中的至少1个光电元件的信号电荷的信号的第2信号，以及在上述第2信号上叠加了对应于存储在上述多个光电变换元件当中的至少1个光电元件的信号电荷的信号的第3信号，并对上述3个信号当中的任意2个信号的多个组合取差分。

公开(公告)号：CN1471311A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148475.1

申请日：2003-06-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  井上俊辅

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14656

Abstract: 本发明提供在光二极管下方产生的信号电荷难以被光二极管以外的区域吸收的固体摄象装置。该固体摄象装置是排列多个象素而成，所述象素备有由第1导电型半导体区域和与上述第1导电型半导体区域的导电型相反的第2导电型半导体区域构成的光二极管、具有在上述第2导电型半导体区域内形成的第1导电型漏极区域，将在上述光二极管中产生的信号电荷传送到上述漏极区域的第1晶体管、和具有在上述第2导电型半导体区域内形成的第1导电型源极·漏极区域的第2晶体管，在上述第1晶体管的上述漏极区域的下部和上述第2晶体管的上述源极区域和/或上述漏极区域的下部设置第2导电型的势垒。

公开(公告)号：CN107946326B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201710949673.5

申请日：2017-10-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森本和浩 ,  篠原真人

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。

公开(公告)号：CN109640011A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811153284.2

申请日：2018-09-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H04N5/369 ,  H04N9/04

CPC classification number: H04N5/3745 ,  G01C3/085 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/376 ,  H04N5/369 ,  H04N9/045

Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。作为实施例的固态成像设备包括：多个像素，每个像素包括至少一个光电转换单元和放大晶体管，放大晶体管具有第一输入节点、第一主节点和第二主节点，第一输入节点电连接到光电转换单元；晶体管，具有第二输入节点、第三主节点和第四主节点，并且具有与放大晶体管相同的极性；至少一条信号线，所述多个像素中的每个像素的第一主节点电连接到信号线；以及电流源，其电连接到信号线，并且电源电压被施加于第三主节点，第四主节点和第二主节点彼此电连接，第一主节点和第二输入节点彼此电连接。

公开(公告)号：CN103794615B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310496051.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  板桥政次 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 公开了固态成像设备、其制造方法，以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板；包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统；以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分，其中，所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素，并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分，并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分，对于所述第一波长的光，所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。