用于制造SiOx(X<1)的方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101173346A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710167618.7

    申请日:2007-04-26

    CPC classification number: C23C14/10 C01B33/113 H01M4/131 H01M4/485 H01M10/052

    Abstract: 提供一种用于制造SiOx的方法。制造的SiOx(x<1)在锂离子二次电池的制造中适合于用作阳极材料,该二次电池具有随着重复使用循环不会衰减的大容量,并在初始充放电中具有低的不可逆容量。用于制造SiOx(x<1)的方法,包括步骤:在惰性气体存在下或降低的压力下将产生氧化硅气体的起始原料加热到1,100至1,600℃范围内的温度以产生氧化硅气体,同时在惰性气体存在下或降低的压力下将金属硅加热到1,800至2,400℃范围内的温度以产生硅气体,并在基体表面上沉淀氧化硅气体和金属硅气体的气体混合物。

    一氧化硅的制造方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117597307A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202280046915.9

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本发明为一种一氧化硅的制造方法,其为制造一氧化硅的方法,其具有:以包含氧气与非活性气体的第一混合气体为载体,将作为原料的金属硅粉末或金属硅粉末与二氧化硅粉末的混合粉供给至燃烧装置的操作A;及对所述燃烧装置供给包含可燃性气体、氧气及非活性气体的第二混合气体来形成火焰,在该火焰中使源自所述金属硅粉末的硅成分与所述氧气反应,由此获得产物的操作B,在进行所述操作B时也同时进行操作A,通过调整供给至所述燃烧装置的所述金属硅粉末的量与所述第一混合气体中包含的氧气和所述第二混合气体中包含的氧气的合计量之比,从而在生成一氧化硅粉末的条件下进行所述硅成分与氧气的反应。由此,提供一种生产性高的一氧化硅的制造方法。

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