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公开(公告)号：CN102791630B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201180013151.5
申请日：2011-03-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , B01D3/009 , B01D3/143 , C01B33/10757 , C01B33/10763 , C01B33/10778
Abstract: 本发明将含有甲基二氯硅烷、四氯硅烷和三氯硅烷的混合物进行蒸馏，从而分馏出甲基二氯硅烷含有率比蒸馏前混合物高的馏分。并且加热该分馏的馏分，在甲基二氯硅烷和四氯硅烷间进行氯的再分配、从而将甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷。之后，将含有该甲基三氯硅烷的再分配后的馏分进行蒸馏纯化，从而分离出高纯度的三氯硅烷。甲基二氯硅烷(沸点41℃)因为沸点与作为蒸馏纯化对象的三氯硅烷的沸点(32℃)接近，因此难以除去。在本发明中，通过在与四氯硅烷之间进行氯的再分配来转化为甲基三氯硅烷(沸点66℃)，从而使除去变得容易。
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公开(公告)号：CN1749260A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510113285.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F5/06
CPC classification number: C07F5/062
Abstract: 本发明涉及一种含有以下杂质含量的高纯三甲基铝：有机硅组分≤0.5ppm，氯组分≤20ppm，烃类组分≤1,000ppm，Ca≤0.05ppm，Fe≤0.05ppm，Mg≤0.05ppm，Na≤0.05ppm，Si(非有机硅组分的硅组分)≤0.07ppm，Zn≤0.05ppm，和S≤0.05ppm。通过蒸馏和蒸发从粗三甲基铝中除去杂质制得高纯三甲基铝。
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公开(公告)号：CN103201218B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180052072.5
申请日：2011-09-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10794 , C01B33/1071 , C01B33/10763 , C01B33/10778
Abstract: 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。
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公开(公告)号：CN103201218A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180052072.5
申请日：2011-09-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10794 , C01B33/1071 , C01B33/10763 , C01B33/10778
Abstract: 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1603328A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410055256.9
申请日：2004-06-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00
Abstract: 一种含杂质的第III族金属烃的纯化是通过在沸点最高200℃且比第III族金属烃的沸点高至少30℃的溶剂中提供第III族金属烃与路易斯碱的加合物，使加合物与溶剂分离，然后加热加合物进行热离解，从而释放高纯度的第III族盒属烃。
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公开(公告)号：CN117597307A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280046915.9
申请日：2022-06-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/113
Abstract: 本发明为一种一氧化硅的制造方法，其为制造一氧化硅的方法，其具有：以包含氧气与非活性气体的第一混合气体为载体，将作为原料的金属硅粉末或金属硅粉末与二氧化硅粉末的混合粉供给至燃烧装置的操作A；及对所述燃烧装置供给包含可燃性气体、氧气及非活性气体的第二混合气体来形成火焰，在该火焰中使源自所述金属硅粉末的硅成分与所述氧气反应，由此获得产物的操作B，在进行所述操作B时也同时进行操作A，通过调整供给至所述燃烧装置的所述金属硅粉末的量与所述第一混合气体中包含的氧气和所述第二混合气体中包含的氧气的合计量之比，从而在生成一氧化硅粉末的条件下进行所述硅成分与氧气的反应。由此，提供一种生产性高的一氧化硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN107848796B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201680044982.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B3/56 , B01J20/18 , B01D53/78 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01J20/20 , B01J20/34 , C01B33/035 , C01B39/44 , B01D53/68 , B01D53/72 , B01D53/75
Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
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公开(公告)号：CN1769289A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113286.5
申请日：2005-06-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F5/06
CPC classification number: C07F5/062
Abstract: 有机金属化合物精制方法及由此制得的有机金属化合物；本发明涉及一种有机金属化合物精制方法，该方法包括蒸馏要精制有机金属化合物，同时使惰性气体吹过有机金属化合物蒸气，从而从有机金属化合物中除去比有机金属化合物蒸气压高的杂质。
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