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公开(公告)号：CN107369888B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710586056.3
申请日：2017-07-18
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯双频可调天线及其制备方法，包括：介质基片(1)、绝缘层(2)、馈电传输线(3)、接地电极(4)、辐射贴片(5)以及两个L形枝节(6)，辐射贴片(5)为非对称形状的石墨烯贴片；绝缘层(2)覆盖于介质基片(1)上；接地电极(4)与馈电传输线(3)、辐射贴片(5)以及两个L形枝节(6)共面，且设置于绝缘层(2)上；馈电传输线(3)与接地电极(4)组成共面波导馈电结构；两个L形枝节(6)之间有间距，且每个L形枝节(6)的一端分别与接地电极(4)一体连接；辐射贴片(5)与每个L形枝节(6)的另一端之间具有间隔，馈电传输线(3)位于辐射贴片(5)的一侧，且与辐射贴片(5)相连。应用本发明实施例提供的技术方案，实现了天线在不同频段内的反射参数具有不同的变化趋势。
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公开(公告)号：CN104576326B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201310492218.9
申请日：2013-10-18
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III‑V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105140330B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN105448675A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN103325663B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210080333.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102401934B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010279640.2
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种色散平坦光子晶体光纤，该光纤的包层由多层位于正六边形网格结点上的空气孔构成，第一层空气孔半径为d1，第四层空气孔半径为d4，其他层空气孔半径为d，相邻空气孔的中心距为Λ，其中，d1＜d＜Λ且d4＜d＜Λ；该光纤的纤芯为双层纤芯结构，内层纤芯是由六边形网格结点上的孔的缺失形成的高折射率芯区，外层纤芯是由第四层空气孔直径减小形成的高折射率芯区。应用本发明的具有高非线性和小正常色散值的色散平坦光子晶体光纤，可以适应不同泵浦波长的高功率脉冲激光器，并与高功率脉冲激光器结合构成1.55μm通信波段、宽带、平坦的超连续谱光源。
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公开(公告)号：CN103367370A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN102401934A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010279640.2
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种色散平坦光子晶体光纤，该光纤的包层由多层位于正六边形网格结点上的空气孔构成，第一层空气孔半径为d1，第四层空气孔半径为d4，其他层空气孔半径为d，相邻空气孔的中心距为Λ，其中，d1＜d＜Λ且d4＜d＜Λ；该光纤的纤芯为双层纤芯结构，内层纤芯是由六边形网格结点上的孔的缺失形成的高折射率芯区，外层纤芯是由第四层空气孔直径减小形成的高折射率芯区。应用本发明的具有高非线性和小正常色散值的色散平坦光子晶体光纤，可以适应不同泵浦波长的高功率脉冲激光器，并与高功率脉冲激光器结合构成1.55μm通信波段、宽带、平坦的超连续谱光源。
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公开(公告)号：CN115342899B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210797780.1
申请日：2022-07-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于OFDM‑NLFM时间序列脉冲调制的分布式光纤振动传感方法，属于光纤领域。本发明使用OFDM‑NLFM时间序列调频脉冲信号具有较宽的脉冲宽度，可以在传感光纤中注入更多光能量，接收中使用匹配滤波器，脉冲信号被压缩为具有高旁瓣抑制比的窄脉冲，不仅可以提高传感信号的信噪比，以延长传感距离，还可以获得非常高的空间分辨率。使用OFDM技术可以增加探测光的重复频率，获得高的频率响应带宽，在接收机有限的探测器带宽内实现更多的频段复用，提高频谱效率。本发明使用OFDM‑NLFM，可以在超长传感距离和高空间分辨率条件下实现的高的频率响应带宽。
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公开(公告)号：CN118041622A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410168928.4
申请日：2024-02-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种基于属性的层级数据加密和解密方法、装置以及存储介质。其中，一种基于属性的层级数据加密方法，包括：数据拥有者节点根据属性为多个明文数据构建相应的访问策略，其中多个访问策略之间存在从属关系；数据拥有者节点根据多个访问策略之间的从属关系，将多个访问策略进行聚合，生成访问结构，其中访问结构包括多个属性层，并且各个属性层与相应的明文数据存在关联关系；数据拥有者节点根据多个明文数据和访问结构生成第一密文，并且将第一密文发送至边缘代理节点；以及边缘代理节点对第一密文进行加密，生成第二密文。
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