一种实现偏振稳定的控制方法及系统

    公开(公告)号:CN112485930A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011294682.3

    申请日:2020-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种实现偏振稳定的控制方法及系统,属于光纤通信与光纤传感技术领域。本发明通过快速定位算法将任意输入光偏振态经过偏振控制器后的输出光偏振态快速调整到邦加球上任意指定目标偏振态附近,再由随机梯度下降算法进一步稳定输出光偏振态至目标偏振态,以实现对任意偏振态稳定到任意设定的目标偏振态。具体实现系统由输入输出端两个偏振分析仪和标定好的偏振控制器以及单片机等构成,输入偏振分析仪和标定好相位差与电压关系的偏振控制器用于快速定位,同时由输出偏振分析仪结合随机梯度下降算法最终稳定输出偏振态到设定值。本发明的偏振稳定控制方法兼顾搜索速度和避免局部极值,实现快速稳定变化偏振态到任意指定目标偏振态。

    一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器

    公开(公告)号:CN111999917A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010830539.5

    申请日:2020-08-18

    Inventor: 余宇 付思东

    Abstract: 本发明公开了一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器,属于半导体光电子器件领域,电光移相器掺杂结构包括脊形光波导,脊形光波导包括脊区以及位于脊区两侧的肋区,脊区包括N型掺杂脊区和P型掺杂脊区,N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面处形成两段纵向倾斜PN结以及连接该两段纵向倾斜PN结的横向倾斜PN结;其中,N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面与脊区的左右侧面不相交。本发明中的掺杂结构,增大移相器中光场与PN结的重叠面积,提高移相效率,具有更低的驱动电压,降低了移相器功耗,对移相器调制带宽影响非常小,与CMOS工艺兼容且具有较大的工艺容差,从而保证器件的良品率。

    一种调制格式与偏振复用切换的光发射系统

    公开(公告)号:CN108933630A

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201810610748.1

    申请日:2018-06-13

    Inventor: 余宇 刘巍 张新亮

    Abstract: 本发明公开了一种调制格式与偏振复用切换的光发射系统,包括:分束模块、调制模块和合束模块,所述分束模块包括第一马赫曾德干涉仪,所述调制模块包括第一马赫曾德调制器、第二马赫曾德调制器、第一热调相移器和第二热调相移器,所述合束模块包括第二马赫曾德干涉仪和合束器件。本发明可以灵活地在无复用二进制调制信号、无复用多进制调制信号、复用的调制信号之间切换以选择适合信道传输的最佳传输信号。

    一种硅基石墨烯光电探测器

    公开(公告)号:CN108899388A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810701611.7

    申请日:2018-06-29

    Inventor: 余宇 左炎 张新亮

    Abstract: 本发明公开了一种硅基石墨烯光电探测器,包括硅波导、氧化物衬底层、氧化物包层和石墨烯,还包括对称放置的第一金属电极和第二金属电极构成的亚波长金属电极,所述亚波长金属电极采用两种不同的金属交叉排列在硅波导上方。本发明通过两种不同的金属与石墨烯接触,产生不同浓度或者类型的掺杂,从而在亚波长金属电极之间引入电势差,驱动光生载流子向两个电极流动;本发明通过电极的交叉排列结构,起到增加电极与石墨烯的接触面积,提高载流子的吸收效率;本发明通过将石墨烯贴合在亚波长金属电极上表面,亚波长金属电极对硅波导中传输的横磁(TM)模进行光场调控,增加平行于石墨烯方向上的电场分量,从而增强光场与石墨烯相互作用,提高探测器的响应度。

    紧凑型高效率的模斑变换器及其设计方法

    公开(公告)号:CN104090336B

    公开(公告)日:2017-07-11

    申请号:CN201410374940.7

    申请日:2014-07-30

    Abstract: 本发明一种紧凑型高效率的模斑变换器及其设计方法。通过将一个长度为L的线性锥形变换结构先分成较少的等间隔的段数,然后使用逐步优化而不是传统的遗传算法来优化每一段的宽度,接着在较少分段的优化基础上进一步分成更多的段数继续优化,直到得到很高的转换效率,这种优化方法的效率相对传统的遗传算法要大大提高。本发明将传统的线性锥形变换结构,在同等转换效率下,可以将现有转换器的长度150μm大大减小到20μm,进一步了提高芯片的集成度。

    一种用于光纤与芯片间光信号传输的水平耦合器

    公开(公告)号:CN106338800A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201610929509.3

    申请日:2016-10-31

    CPC classification number: G02B6/4227 G02B6/4287

    Abstract: 本发明公开了一种用于光纤与芯片间光信号传输的水平耦合器件,包括第一采集模块,用于引导和收集一阶线偏振模式中第一模斑,第二采集模块,用于引导和收集一阶线偏振模式中第二模斑,耦合模块,设有第一传输通道、第二传输通道和主通道,第一传输通道接收第一模斑,第二传输通道接收第二模斑,并通过模场的空间叠加实现从耦合模块的主传输通道输出一阶横电模。本发明实现了将光纤中一阶线偏振模式转化为芯片中的一阶横电模同时也保证了基模的透明耦合,使得二者均能达到较高的耦合效率,实现光纤与芯片之间低损耗、大带宽、大容量信号传输。

    硅基芯片集成的大工艺容差偏振旋转器件

    公开(公告)号:CN104950392A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510413952.0

    申请日:2015-07-14

    Abstract: 本发明是一种硅基芯片集成的大工艺容差的偏振旋转器件,包括入射波导部分、对称性打破部分以及出射波导部分,对称性打破部分的包层被部分刻蚀。包层的部分刻蚀为平行于波导上表面的长方体形凹槽,凹槽位于对称性打破部分的波导侧上方的包层内,其长度满足包层刻蚀后的两本征模式之间具有180度的位相差,长方体形凹槽的宽度需大于等于0.9微米,长方体凹槽从包层的顶部开始刻蚀,长方体形凹槽的最底面距离波导上表面的垂直间距,等于长方体形凹槽与波导之间的水平间距,垂直间距、水平间距的值均为0~0.2微米。本发明的优点在于,对称性打破部分是在包层上的部分刻蚀实现,由于包层的尺寸在微米量级,因此套刻精度带来的误差相对很小,工艺容差非常大。

    一种QAM光矢量信号产生及远程外差探测装置

    公开(公告)号:CN103067331B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201210536040.9

    申请日:2012-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种QAM光矢量信号产生及远程外差探测装置,包括发送装置和接收装置,在发送侧,第一MZM调制器将激光和微波震荡源调制后输出上、下边带光信号;光纤光栅使得上边带光信号通过;光带通滤波器使得下边带光信号通过;矢量波形发生器将数字基带信号分成两路输出;光调制装置对光纤光栅输出的上边带光信号进行调制后输出携带有数字基带信息的QAM光信号;第二光耦合器将下边带光信号与上述QAM光信号耦合至光纤中。本发明通过远程外差方法将光频域范围内的QAM光信号变换到所期望的电子频域内,并驱动天线产生携带有原始QAM信号的电磁波,可用于产生高频毫米波,实现结构简单,能耗低。

    紧凑型高效率的模斑变换器及其设计方法

    公开(公告)号:CN104090336A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410374940.7

    申请日:2014-07-30

    Abstract: 本发明一种紧凑型高效率的模斑变换器及其设计方法。通过将一个长度为L的线性锥形变换结构先分成较少的等间隔的段数,然后使用逐步优化而不是传统的遗传算法来优化每一段的宽度,接着在较少分段的优化基础上进一步分成更多的段数继续优化,直到得到很高的转换效率,这种优化方法的效率相对传统的遗传算法要大大提高。本发明将传统的线性锥形变换结构,在同等转换效率下,可以将现有转换器的长度150μm大大减小到20μm,进一步了提高芯片的集成度。

    一种多自由度量子密钥分发硅基发射端芯片

    公开(公告)号:CN113794557B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202111086722.X

    申请日:2021-09-16

    Abstract: 本发明涉及一种多自由度量子密钥分发硅基发射端芯片,包括强度补偿模块、第三多模干涉耦合器、诱骗态强度调制模块、光开关模块、相位编码模块、偏振编码模块、衰减监控模块和同步光路,所述强度补偿模块与所述第三多模干涉耦合器连接,所述第三多模干涉耦合器与所述诱骗态强度调制模块连接,所述诱骗态强度调制模块与所述光开关模块连接,所述光开关模块分别与所述相位编码模块和所述偏振编码模块连接,所述相位编码模块与所述衰减监控模块连接。本发明在一个芯片上同时集成了相位编码和偏振编码模块,可以实现稳定的、安全的多强度调制,实现多种编码方式。

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