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公开(公告)号：CN102296365B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1974888A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610129356.0
申请日：2006-11-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1151318C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN01144331.6
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法：采用填加K2O助溶剂的方法，降低铌酸锂的熔点，提高晶体的锂铌比，在熔融状态下，利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol.%以上，且光学质量好，适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106929917B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710280810.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。
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公开(公告)号：CN105624790A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610114580.6
申请日：2016-03-01
Applicant: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
CPC classification number: C30B29/30 , C01G33/00 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/9646 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/30 , G02F1/0018 , G02F1/3551 , G02F2202/20 , C30B15/00 , G02F1/03 , G02F2/02
Abstract: 本发明属于非线性光学晶体技术领域，涉及一种铋镁双掺铌酸锂晶体，其特征在于铌酸锂晶体中同时掺入Bi2O3和MgO，其中[Li]和[Nb]的摩尔比为0.90～1.00。Bi2O3掺入量为0.25～1.00mol％，MgO的掺杂量为3.00～9.00mol％。本发明提供的铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变效应增强、灵敏度提高；同时抗光损伤能力也显著提高，并且易于生长；所述晶体可应用于激光频率转换、参量振荡、调Q开关、电光调制、全息存储及全息显示等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100497758C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610129356.0
申请日：2006-11-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol%。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol%)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1283853C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410019732.1
申请日：2004-06-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol%的Li，是Li含量小于50mol%的Li2O·Nb2O5体系中熔点最低的共晶点原料，有利于熔体的加入。
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公开(公告)号：CN102296365A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597801A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068854.2
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，由纯度为99.99％的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3制成，其制备方法是采用提拉法，1)将粉料按用料比混合，烘干后在混料机上搅拌，使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体。本发明的优点及效果：锆铜铈三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铜铈三掺铌酸锂晶体中能很好的实现了非挥发存储，灵敏度比铜铈双掺铌酸锂晶体提高了10倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597800A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068853.8
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铁锰三掺铌酸锂晶体，由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Fe2O3和MnO制成，其采用提拉法生长，1)将纯度为99.99％的粉料按用料比混合，烘干后在混料机上混合搅拌使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法生长锆铁锰三掺铌酸锂晶体。本发明的优点：锆铁锰三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铁锰三掺铌酸锂晶体中很好的实现了非挥发存储，响应时间最短达到1.21s，灵敏度达到1.78cm/J，比铁锰双掺铌酸锂晶体提高了20倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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