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公开(公告)号：CN119727639A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411635602.4
申请日：2024-11-15
Applicant: 南通大学 , 无锡中微腾芯电子有限公司
IPC: H03H3/02 , H10N30/082 , H03H9/02 , H03H9/15
Abstract: 本申请的实施例提供了一种掺钪氮化铝兰姆波谐振器的制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述制备方法包括以下步骤：在第一晶圆上依次制备下叉指电极的电极层、中间压电层和上叉指电极的电极层；制备保护层并形成空腔；将第一晶圆倒置放置在第二晶圆上；移除第一晶圆并进行图案化处理以形成下叉指电极；刻蚀电极层和中间压电层以引出上叉指电极；制备焊盘并刻蚀上叉指电极的电极层、中间压电层和下叉指电极的电极层，形成空气反射边界。通过晶圆级转移技术将制造的器件结构倒置，改变了叉指电极图案化和压电薄膜沉积的工艺顺序，解决了由图案化叉指电极引起沉积压电薄膜所产生结构畸变或断裂的问题，实现了高质量掺钪氮化铝兰姆波谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN118971833A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411128316.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供了基于声学超材料阵列的双模态兰姆波压电谐振器，属于射频MEMS器件领域。双模态兰姆波压电谐振器包括：第一谐振区域，包括：第一压电振动结构，配置于其上表面上的第一顶部叉指电极，和配置于其下表面上的第一底部叉指电极；第二谐振区域，包括：第二压电振动结构，配置于其上表面上的第二顶部叉指电极，和配置于其下表面上的第二底部叉指电极；声学超材料阵列结构，声学超材料阵列结构设置在第一谐振区域和第二谐振区域之间。本发明的基于声学超材料阵列的双模态兰姆波压电谐振器能够实现两个独立的工作模态，且两个模态都具有较好的频谱纯净度，有利于实现其在双通带滤波器中的应用。
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公开(公告)号：CN118300593A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410462392.7
申请日：2024-04-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种近零功率的微机械光开关。包括：驱动结构；悬臂结构；支撑结构和底电极结构。本专利申请的近零功率微机械光开关改变悬臂的高低热膨胀系数材料的排列位置，使悬臂的驱动的方式发生改变，平衡了驱动结构热膨胀对悬臂驱动的影响。左端闭合的方式，也让悬臂与驱动结构的连接点到开关左端闭合点之间形成力臂，提高了悬臂产生机械位移的利用率，降低了所需的阈值功率。所述驱动结构采用对称堆叠方式，平衡了由材料热膨胀导致的顶电极的应力弯曲，提升了顶电极的平整度，提高光开光闭合的准确性。实现具有高探测率和高响应率的近零功率微机械光开关。对于无线传感网络的发展，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN113595522B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110788440.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 重庆胜普电子有限公司 , 南通大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本申请提供一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，包括如下步骤：S1刻蚀产生释放腔再热氧生长钝化层，S2淀积多晶硅牺牲层至充满释放腔，S3刻蚀移除释放腔外周部牺牲层再化学机械抛光工艺使硅片上表面，于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。申请人通过热氧提供最低界面陷阱密度、最高品质因数的氧化层形成良好台阶覆盖的共性台阶覆盖层；还提供用多晶硅反刻法，淀积多晶硅牺牲层，刻蚀去除释放腔外的多晶硅，再化学机械抛光平坦化硅片的上表面；以更好地无损快速平坦化，意料之外得到很好平坦化效果，显著改善生长质量及台阶处覆盖性。及基于此提供高品质因数的氮化铝兰姆波谐振器。
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公开(公告)号：CN113300684B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110577798.6
申请日：2021-05-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种Lamb波谐振器及其制作方法，制得的Lamb波谐振器包括自下而上依次设置的第一电极结构、压电振动结构、第二电极结构和掩膜结构；其中，所述第二电极结构为叉指电极，所述压电振动结构的边缘倾角均呈90°，所述掩膜结构为二氧化硅掩膜，所述二氧化硅掩膜同时覆盖叉指电极的外表面和未被叉指电极覆盖的压电振动结构的上表面。本发明实施例的采用二氧化硅作为压电振动结构的掩膜结构的解决方案，使得制备的压电振动结构的边缘倾角能够呈90°角，大幅提高了Lamb波谐振器的品质因数，优化了Lamb波谐振器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113381723A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110733402.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请公开了一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中，兰姆波谐振器包括：衬底结构，其表面形成有空气腔室；兰姆波谐振结构，其包括压电振动结构，位于压电振动结构上表面的叉指电极，及位于压电振动结构下表面的底部平板电极；所述兰姆波谐振结构悬置于所述衬底结构的空气腔室内，且所述兰姆波谐振结构通过其纵向两端的支撑轴与所述衬底结构固定连接；在各支撑轴与衬底结构连接的锚点处对应的衬底结构上分别设置有金属板。本申请提供的兰姆波谐振器，其通过将兰姆波谐振结构悬置于衬底结构的空气腔室中，并在二者连接的锚点处对应的衬底结构上分别设置有金属板，能够使声能更好的被限制在兰姆波谐振结构的内部，从而提高谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN112951810A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110140717.6
申请日：2021-02-02
Applicant: 南通大学
IPC: H01L25/065 , G01R31/26 , G01N25/20
Abstract: 本发明提供了一种交错堆叠DDR模组，包括：一基板；一多芯片交错堆叠结构，由多个芯片交错堆叠而成，其中，多芯片交错堆叠结构通过第一粘着层与所述基板连接，所述多芯片交错堆叠结构各个芯片之间通过第二粘着层连接；以及一封装体，包覆所述多芯片交错堆叠结构。本发明还提供了一种交错堆叠DDR模组的热分析方法，该方法通过改变堆叠芯片之间的交叠长度来改变交叠接触区的热阻，进而提高传热路径上散热能力，降低芯片结温，提高三维封装散热可靠性。
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公开(公告)号：CN110970390A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911276819.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 南通大学
IPC: H01L23/498 , H05K1/11 , G06F30/398 , G06F113/18 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明型提供一种微细间距铜柱晶圆级封装结构，包括：印刷电路板；焊盘，设于所述印刷电路板上；焊点，设于所述焊盘上；铜柱，设于所述焊点上；重分布层，设于所述铜柱上；钝化层，设于所述重分布层上；低介电常数层，设于所述钝化层上；芯片，设于所述低介电常数层上。通过确定封装中关键结构参数以及焊料材料属性，通过不同的因素组合对封装结构进行系统性分析，最终获得最佳的设计方案，以提高热疲劳寿命。
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公开(公告)号：CN107330184B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710514918.1
申请日：2017-06-29
Applicant: 南通大学
IPC: G06F30/398 , G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供了一种电气组件中的键合线的仿真测试方法，包括：生成电气组件的物理仿真模型；以第一导线朝第二导线方向的结束端为起始划分线，以第二导线朝第一导线方向的结束端为终止划分线，将仿真模型划分为头部分、中间部分和尾部分，其中，头部分对应于键合线与第一导线的焊盘区域，尾部分对应于键合线与第二导线的焊盘区域；建立头部分的和尾部分的电路模型；建立中间部分的电路模型；将头部分的电路模型、中间部分的电路模型和尾部分的电路模型级联，生成电气组件的仿真电路。本发明实施例还提供了相应的存储介质和电子设备。本发明能够代替全波电磁场仿真软件生成仿真电路，降低成本，减少不必要的资源浪费。
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公开(公告)号：CN110577186A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910863344.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS红外探测器的三维封装技术，在硅片上设有两个垂直导电区玻璃回流槽和垂直引线，内嵌的硼硅酸盐玻璃作为引线和衬底的电绝缘层。在封装盖顶部设有亚波长结构阵列。本发明提供的三维封装结构，基于玻璃回流工艺制备的低阻硅垂直引线实现内外电学互连，硼硅酸盐玻璃与低阻硅之间有着相匹配的热膨胀系数，因而热应力较低。封装盖顶部的亚波长结构阵列用于在长波红外区域增强红外透射性能。在亚波长结构阵列的下方制备封装腔室以容纳红外探测器。此外本发明还提供了上述封装结构的制作方法。
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