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公开(公告)号：CN112951810B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110140717.6
申请日：2021-02-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供了一种交错堆叠DDR模组，包括：一基板；一多芯片交错堆叠结构，由多个芯片交错堆叠而成，其中，多芯片交错堆叠结构通过第一粘着层与所述基板连接，所述多芯片交错堆叠结构各个芯片之间通过第二粘着层连接；以及一封装体，包覆所述多芯片交错堆叠结构。本发明还提供了一种交错堆叠DDR模组的热分析方法，该方法通过改变堆叠芯片之间的交叠长度来改变交叠接触区的热阻，进而提高传热路径上散热能力，降低芯片结温，提高三维封装散热可靠性。
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公开(公告)号：CN119179139A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202311565302.9
申请日：2023-11-22
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种基于等离子体吸收器的微机械光开关。包括：顶部驱动结构，包括悬臂结构和表面等离子体红外吸收结构；底部电极结构；支撑结构；设置于所述底部电极结构的上表面，使所述顶部驱动结构与所述底部电极结构之间形成空腔。本申请的微机械光开关，采用等离子体红外吸收结构实现对特定波长红外信号的近完美吸收，同时采用折形悬臂结构提供更大的弹性系数和更低的等效刚度，实现具有高探测率和高响应率的微机械光开关，使得不需要频繁维护的独立传感器成为可能，对于无线传感网络具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN118944629A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411128314.X
申请日：2024-08-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的中心处设置有空腔；氮化铝薄膜，位于衬底的上表面上并包括覆盖在所述空腔上方的第一部分和覆盖在衬底上除空腔之外的第二部分；谐振体，所述谐振体包括位于第一部分上表面的顶部叉指电极和位于下表面上的底部叉指电极；声学反射器，所述声学反射器包括位于第二部分的上表面上并且间隔设置的多个金属条。本发明提供的集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数和散热性能好的特点，能够实现高频的新型侧向支撑轴结构的谐振器。
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公开(公告)号：CN117470902A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311327131.6
申请日：2023-10-13
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，提供了一种多芯片CoWoS封装结温预测方法。方法包括：根据传导热阻计算公式计算所述芯片和有机载板的热阻；根据对流热阻计算公式计算所述有机载板的上表面对流换热热阻与下表面对流换热热阻；计算求得TSV转接板的等效热导率以及TSV转载板的等效热阻；求得所述焊料的等效热阻；根据以下公式计算TSV转接板下表面的等效对流换热系数；计算各个所述芯片的耦合扩散热阻；计算各个所述芯片的结温。本方法考虑各个芯片之间的热耦合效应，提高了结温预测的精度，与有限元仿真结果作比较，误差不超过2.1％。
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公开(公告)号：CN113381720B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110740039.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请公开了一种二维模态兰姆波谐振结构、包含其的兰姆波谐振器及其制备方法，该二维模态兰姆波谐振结构包括压电振动层，位于压电振动层上表面的梳齿电极，及位于压电振动层下表面的底部金属电极；所述压电振动层的两个横向边界均超出底部金属电极的两个横向边界，压电振动层每侧的横向边界超出该侧的底部金属电极的横向边界的距离用外延边界距离d表示，d为2‑2.1倍的电极周期间距p。本申请提供的二维模态兰姆波谐振结构以及包含其的兰姆波谐振器，通过优化设计压电振动层的两个横向边界超出底部金属电极的两个横向边界的距离，有效解耦了主模外其余的兰姆波振动模态，因此有效的抑制杂散模态，提升了谐振器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116614107A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310569824.X
申请日：2023-05-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器。本发明提供基于掺钪氮化铝(Al0.6Sc0.4N)双模谐振器分为第一区域和第二区域，模态1和模态2分别设置于第一区域和第二区域，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极，第一区域与第二区域间配置用于抑制不同模态间的相互干扰的声学隔绝槽。本发明申请的掺钪氮化铝压电薄膜谐振器，两个工作模态均具有相近且较高的品质因数和有效机电耦合系数，并具备无寄生模态的特点，能够在互不干扰的条件下实现对其两个模态的频率调节以构成双通带声学滤波器。
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公开(公告)号：CN116227413A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310237234.7
申请日：2023-03-13
Applicant: 南通大学 , 苏州锐杰微科技集团有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开一种芯粒布局优化方法，包括：根据待排布芯粒的通信数据量确定映射排布确认顺序；根据所述映射排布确认顺序和第一数据信息确认所述待排布芯粒在用于芯粒排布的拓扑结构中的映射排布位置，其中，所述第一数据信息包括：所述待排布芯粒与已确认映射排布位置的芯粒之间的通信功耗，和所述待排布芯粒在拓扑结构中的映射排布位置确认后当前拓扑结构的预测温度。本发明在确认芯粒的映射排布位置的时候兼顾芯粒之间的通信功耗和芯粒温度两个方面，由此得到的每一种芯粒映射排布方式与现有技术的映射排布方式相比，其排布后的通信功耗与温度都能够大幅降低，并有效缓解局部温度过高的情况。
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公开(公告)号：CN115955207A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211623370.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的反对称模态谐振器及制备方法。本发明提供的反对称模态谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部电极、衬底及位于压电振动结构与衬底之间的介质层，衬底与介质层配置用于释放压电振动结构的释放腔。本发明申请的铌酸锂单晶薄膜反对称模态谐振器，具有高机电耦合系数和无杂散模态的特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN114142821A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111472214.5
申请日：2021-12-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构的制备方法及氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构，硅衬底结构的制备方法的步骤包括：在硅衬底的上表面刻蚀形成用于包围至少部分待释放区域的回流槽；采用高硼硅玻璃在回流槽中形成顶部与硅衬底表面平齐的释放保护层，释放保护层限定出待释放区域。氮化铝压电谐振器件的制备方法的步骤包括制备硅衬底结构；在硅衬底结构上完成压电谐振器件的结构制备；在压电层上刻蚀释放孔并对待释放区域进行释放形成释放腔。本申请的方法能够使得在温度发生变化的时候，整体器件产生的热应力较低，避免导致器件结构变形或断裂使器件性能下降，且能够将释放硅的范围限制在释放保护层内，避免硅衬底受到过度刻蚀。
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公开(公告)号：CN113595522A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110788440.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 重庆胜普电子有限公司 , 南通大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本申请提供一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，包括如下步骤：S1刻蚀产生释放腔再热氧生长钝化层，S2淀积多晶硅牺牲层至充满释放腔，S3刻蚀移除释放腔外周部牺牲层再化学机械抛光工艺使硅片上表面，于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。申请人通过热氧提供最低界面陷阱密度、最高品质因数的氧化层形成良好台阶覆盖的共性台阶覆盖层；还提供用多晶硅反刻法，淀积多晶硅牺牲层，刻蚀去除释放腔外的多晶硅，再化学机械抛光平坦化硅片的上表面；以更好地无损快速平坦化，意料之外得到很好平坦化效果，显著改善生长质量及台阶处覆盖性。及基于此提供高品质因数的氮化铝兰姆波谐振器。
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