公开(公告)号：CN113363319B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110493226.X

申请日：2021-05-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  帅浩 ,  张明昆

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒层；第一盖帽层和第二盖帽层上分别设置有源电极和漏电极；势垒层、源电极和漏电极上跨设有介质层，介质层边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，源电极和漏电极的上端穿出介质层；介质层还连接有栅电极；本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构，其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控，本方案还通过引入介质层，降低了器件的栅极泄漏电流，提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。

公开(公告)号：CN113363319A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110493226.X

申请日：2021-05-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  帅浩 ,  张明昆

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒层；第一盖帽层和第二盖帽层上分别设置有源电极和漏电极；势垒层、源电极和漏电极上跨设有介质层，介质层边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，源电极和漏电极的上端穿出介质层；介质层还连接有栅电极；本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构，其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控，本方案还通过引入介质层，降低了器件的栅极泄漏电流，提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。