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公开(公告)号：CN101976800A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010500171.2
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的GaN外延层、电流下限制层、ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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