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公开(公告)号：CN103073773A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310021307.5
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，涉及用于空间质子辐射防护的复合材料及其制备方法领域。本发明是要解决现有的辐射防护材料方法制备得到的辐射防护材料，铝防护层存在密度大而导致使用重量大，采用聚乙烯材料做辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，制约其使用范围的问题。用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料，按重量份数是由聚乙烯树脂、碳纳米管和偶联剂制备而成。制备方法：一、将碳纳米管和偶联剂混合得改性碳纳米管；二、混合改性碳纳米管与聚乙烯树脂后热压。用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料在防护质子辐射的应用。本发明适用于辐射防护和航空航天领域。
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公开(公告)号：CN100337133C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200510010052.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO2薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO2薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO2薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN103887171B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410136054.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤：步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN103870664B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410135842.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为：根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数：电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明
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公开(公告)号：CN103872105B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103073773B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310021307.5
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，涉及用于空间质子辐射防护的复合材料及其制备方法领域。本发明是要解决现有采用聚乙烯材料做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，严重制约其使用范围的问题。用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料，按重量份数是由聚乙烯树脂、碳纳米管和偶联剂制备而成。制备方法：一、将碳纳米管和偶联剂混合得改性碳纳米管；二、混合改性碳纳米管与聚乙烯树脂后热压。用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料在防护质子辐射的应用。本发明适用于辐射防护和航空航天领域。
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公开(公告)号：CN103887155A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410135934.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L21/265
Abstract: 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN103887154A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410135913.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L21/265
Abstract: 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法，属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法，首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真，仿真获得离子能量、射程与注量，再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱，可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式，减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响，提高双极型器件的抗辐照能力，用于航天器用电子器件的抗辐照加固。
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公开(公告)号：CN103872106A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135845.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L29/36 , H01L29/73
Abstract: 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
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公开(公告)号：CN103872105A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0804 , H01L29/66234
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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