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公开(公告)号：CN102867557B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210379636.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法，它涉及一种聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法，本发明是为解决现有的用于空间辐射防护材料的聚乙烯，其热稳定性差，及相同质量厚度下，纯铝过滤质子的效率低的技术问题，本发明的制备方法为：先将乙醇和氮化硼加入容器内，再加入偶联剂，在恒温水中反应，得到改性氮化硼，最后将聚乙烯与改性氮化硼加入到高混机中，得到氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料，本发明制备的一种氮化硼-聚乙烯复合材料的热降解温度为430～520℃，热稳定性能好，且滤质子的效率与纯铝相比提高了将近0.4～1倍，综合性能优异，在航天器辐射防护上有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1598620A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410043773.4
申请日：2004-08-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多功能复合光学纳米膜，它涉及一种光学器件表面的膜。现有的膜在长期接受空间辐射环境作用后，这些薄膜会着色，光谱透过率明显下降。本发明各成分所占重量份数分别为：钛酸四丁酯1－4份，无水乙醇3－9份，乙酰丙酮3－9份，二甲基甲酰胺0.001－1份，盐酸0.01－1份，冰醋酸0.1－1份，0.02－1份的水，ZrCl40.001－0.04份，LaCl30.003－0.05份，In(NO3)30.0001－0.001份，SnCl40.00001－0.0004份。本发明制备的光学纳米膜中，纳米结构的尺寸可达到20－30nm；薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到85％以上；在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下光谱透过滤下降小于10％，使用本发明的纳米膜，可以延长光学器件的使用寿命，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN103884945A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136016.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN100337133C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200510010052.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO2薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO2薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO2薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN103870664B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410135842.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为：根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数：电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887155A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410135934.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L21/265
Abstract: 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN103868973A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136007.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/61
Abstract: 一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压VR、脉冲电压VP、测试周期TW、脉冲宽度TP及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
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公开(公告)号：CN100385257C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410043736.3
申请日：2004-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 抗辐射自清洁纳米光学防护膜，它涉及一种可在光学器件表面使用的防护膜。现有的防护膜在长期接受空间辐射环境作用后，这些薄膜会着色，光谱透过率明显下降。并且这些薄膜很容易被迅速污染。本发明防护膜各成分的重量份数分别为：钛酸四丁酯1～4份，无水乙醇3～9份，二甲基甲酰胺0.001～1份，盐酸0.01～1份，冰醋酸0.1～1份，水0.02～1份，Ce(NO3)30.001～0.04份，LaCl30.003～0.05份。本发明的防护膜，纳米结构的尺寸可达到20～30nm；薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到88%以上；对航天器常见有机污染物的降解率可达到40～60%；在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下，光谱透过滤下降小于10%。
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公开(公告)号：CN1598618A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410043736.3
申请日：2004-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 抗辐射自清洁纳米光学防护膜，它涉及一种可在光学器件表面使用的防护膜。现有的防护膜在长期接受空间辐射环境作用后，这些薄膜会着色，光谱透过率明显下降。并且这些薄膜很容易被迅速污染。本发明防护膜各成分的重量份数分别为：钛酸四丁酯1～4份，无水乙醇3～9份，二甲基甲酰胺0.001～1份，盐酸0.01～1份，冰醋酸0.1～1份，水0.02～1份，Ce(NO3)30.001～0.04份，LaCl30.003～0.05份。本发明的防护膜，纳米结构的尺寸可达到20～30nm；薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到88％以上；对航天器常见有机污染物的降解率可达到40～60％；在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下，光谱透过滤下降小于10％。
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公开(公告)号：CN103884945B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410136016.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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