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公开(公告)号：CN101838886B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010204481.X
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D04H1/4209 , D01F9/10
Abstract: 一种氮化硅纳米无纺布的制备方法，它涉及氮化硅纳米材料的制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度为0.5～20mm，其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1～60mm。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体放置于坩埚底部，盖上坩埚盖，并置于气氛烧结炉，在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题，有优良的均匀性，纯度高，物理化学稳定性高，有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。
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公开(公告)号：CN101550012B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910072021.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/515
Abstract: SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。
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公开(公告)号：CN101224876B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101319399B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810064810.8
申请日：2008-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构的制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。
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公开(公告)号：CN101928915A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010200513.9
申请日：2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN101845711A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010204482.4
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm，单根长度为50微米至5厘米。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料，再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉，在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端，作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀，复合材料性能提高。方法简单，制备周期短，大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。
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公开(公告)号：CN101717077A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910310305.1
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的制备方法，它涉及一种纳米管的制备方法。本发明解决了现有方法得到的硼纳米管产率低的问题。本方法如下：将氨硼烷和催化剂的混合粉末或氨硼烷加入到以石墨纸或滤纸为内衬的坩埚中，再将坩埚置于气压炉中，向气压炉内充入高纯氮气，然后以5℃/min～30℃/min的升温速度升温，再保温，然后冷却至室温，即得氮化硼纳米管。本发明方法制备氮化硼纳米管的产率为60％～85％。
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公开(公告)号：CN101597058A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910072347.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法，它涉及了一种硼酸的应用方法。本发明解决了现有SiC纳米纤维制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米纤维生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米纤维产率的方法按照如下步骤进行：一、将蔗糖与硅溶胶混合，再将硼酸加入到混合液中，干燥，得到干凝胶；二、将步骤一得到的干凝胶置入管式炉中，通入氮气，升温，保温，即得凝胶粉末；三、球磨3h，加入无水乙醇，气氛烧结炉，冷却至室温；即得到呈羊毛毡状的SiC纳米线毛层。本发明在纳米纤维生产中应用硼酸，应用硼酸后，SiC纳米纤维的产率提高了10倍以上，纤维长度达到5～6cm。
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公开(公告)号：CN100467374C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610151102.9
申请日：2006-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法，它涉及一种带有伴生结构的纳米线的制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6～24%的碳、53～68%的硅和11～40%的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中，抽真空；(五)向管式加热炉中通入氩气；(六)进行气氛烧结；(七)冷却到室温，即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN101319399A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810064810.8
申请日：2008-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构及其制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。
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