公开(公告)号：CN1696242A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510010052.8

申请日：2005-05-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何世禹 ,  魏强 ,  刘海 ,  杨德庄

IPC: C09K11/00

Abstract: 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO2薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO2薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO2薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。

公开(公告)号：CN1037859C

公开(公告)日：1998-03-25

申请号：CN94102452.0

申请日：1994-03-30

Applicant: 哈尔滨工业大学材料工程技术公司 ,  哈尔滨机床电器厂

Inventor： 维·伏·伊万诺夫 ,  伏·依·基尔可 ,  伏·伏·伊万诺夫 ,  杨德庄 ,  安希镛 ,  石钢 ,  王英杰 ,  程忠贤 ,  郭亚林

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/10 ,  H01H1/02

Abstract: 铜基低压电工触头合金材料，其特征在于该材料成分配比(重量百分比)为：金刚石 0.5～5.0%镉 0.1～2.0%铜 余量

公开(公告)号：CN1109511A

公开(公告)日：1995-10-04

申请号：CN94102452.0

申请日：1994-03-30

Applicant: 哈尔滨工业大学材料工程技术公司 ,  哈尔滨机床电器厂

Inventor： 维·伏·伊万诺夫 ,  伏·依·基尔可 ,  伏·伏·伊万诺夫 ,  杨德庄 ,  安希镛 ,  石钢 ,  王英杰 ,  程忠贤 ,  郭亚林

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/10 ,  H01H1/02

Abstract: 本发明提出一种铜基低压电工触头合金材料，主要技术特征是其组分中含有金刚石。其成分配比(重量百分比)为：0.5～5.0％金刚石，0.1～2.0％镉，余量为铜。采用本发明可在分类低压电工触头上替代银基复合材料，收到显著节省金属银及降低成本的效果。

公开(公告)号：CN2344850Y

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN98245309.4

申请日：1998-10-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨德庄 ,  常慰祖

IPC: H01F7/06

Abstract: 本实用新型涉及一种电磁铁装置,该装置外磁轭为圆筒状或多边形,中间部位装有支撑内套,上面缠有磁化线圈,在左右磁轭上有若干孔,孔内穿有紫铜管绕制的线圈。本实用新型结构简单,操作方便,当两磁极距离为300毫米时,其中心最弱处磁场强度可达到1.5T。