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公开(公告)号：CN101696481B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910073087.4
申请日：2009-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于微驱动元件的超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜的制备方法，它属于形状记忆合金薄膜领域。本发明解决了现有Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜不能满足微驱动元件的超高单位体积输出功的问题。Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜由Ti、Cu和Ni组成。本发明方法如下：洗净玻璃，抽真空，通氩气，以镍、钛、铜作为阴极采用磁控共溅射法进行沉积，再真空热处理后随炉冷却；即得到Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜。本发明方法制备合金薄膜的晶粒尺寸为50～500nm，厚度为3～10μm，Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜具有超高恢复应力(高于1GPa)、快响应速度的优点；可满足微驱动元件的小尺寸、超高驱动力的要求。
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公开(公告)号：CN101406961B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810209522.7
申请日：2008-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 水溶性金纳米团簇的制备方法。它涉及一种金纳米团簇制备方法。本发明解决了目前生产巯基稳定的水溶性金纳米团簇产量低的问题。本发明方法如下：将甲醇与Au3+化合物混合后加入巯基有机物的水溶液，然后加入NaBH4水溶液，得到混合物，分别用甲醇水溶液和去离子水离心洗涤混合物，最后在干燥温度为30～70℃、真空度为1～10-3Pa的条件下干燥6～18小时，即得水溶性金纳米团簇。本发明方法所得的水溶性金纳米团簇的粒径为1.5±0.2nm，分布率接近60％，具有较高的单分散性。本发明所得水溶性金纳米团簇的产率可达70％以上。本发明制备过程简单，分离过程简单。
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公开(公告)号：CN102091627A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010563497.X
申请日：2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多元醇一锅法制备CNT/Fe3O4@ZnO一维纳米复合材料的方法它涉及一种CNT/Fe3O4@ZnO一维纳米复合材料的制备方法。本发明提供了多元醇一锅法制备CNT/Fe3O4@ZnO一维纳米复合材料的方法。本发明的方法如下：一、称取多壁碳纳米管、乙酰丙酮铁和三甘醇后混合，然后超声分散至均匀后通入氩气，再加热至三甘醇沸点回流；二、然后冷却至室温，再投入醋酸锌，然后缓慢加热至三甘醇沸点，回流，冷却后磁分离，再用乙醇洗涤，干燥得到CNT/Fe3O4@ZnO复合材料。应用在组装光电器件，光催化领域。
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公开(公告)号：CN102080208A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010589307.1
申请日：2010-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜及其制备方法，它涉及一种薄膜及其制备方法。本发明解决了现有的形状记忆合金薄膜相变温度低、较脆的问题。制备方法如下：一、将衬底放入真空室靶台上，采用Ti-Ni-Hf-Cu四元合金靶作为靶材，然后溅射，得到薄膜；二、将步骤一得到的薄膜在450℃～750℃的条件下保温30min～60min完成晶化，即得Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜。本发明的Ti-Ni-Hf-Cu四元合金薄膜，其相变温度可达到100℃以上，可在较高温度下应用，力学性能良好，且其成本较三元Ti-Ni-Hf合金薄膜略有下降。
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公开(公告)号：CN101254941B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810064236.6
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法，它涉及一种无机分子簇单源前体合成CdS纳米线的方法。它解决了现有CdS纳米线制备方法需要大型设备、制备温度高、后续处理工艺繁琐、纳米线容易被污染或损伤性能、尺寸和形貌难于控制或者工艺条件苛刻，难于操作，难以工业化大规模实施的问题。制备方法：一、将十六烷基胺真空脱气；二、降低温度、在氮气氛条件下将(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入，然后升温、并保温反应；三、降低混合物温度；四、分离、沉淀、干燥。本发明直接用无机分子簇单源前体合成CdS纳米线方法无需大型设备，操作安全、简便、易行、且成本低，便于控制CdS纳米线的尺寸、形貌和性能，易于工业化大规模生产，可重复性好，可一次性进行大剂量CdS纳米线的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101724397A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073266.8
申请日：2009-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/74
Abstract: 稀土掺杂钛酸铋上转换发光纳米晶材料，它涉及钛酸铋基发光纳米晶材料。本发明解决了现有稀土掺杂钛酸盐上转换发光材料发光强度低的问题。本发明的稀土掺杂钛酸铋上转换发光纳米晶材料是通过溶胶-凝胶法分别将Er、Er/Yb、Yb/Tm和Er/Yb/Tm掺杂至钛酸铋基体中得到的。本发明的上转换发光纳米晶材料在980nm波长的红外辐射激发下，能够实现红色、绿色、黄色、蓝色以及白色不同颜色的上转换发光，且发光强度高。本发明稀土掺杂钛酸铋上转换发光纳米晶材料在红外辐射探测、防伪和生物分子荧光标记等领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101696481A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910073087.4
申请日：2009-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜及其制备方法，它属于形状记忆合金薄膜领域。本发明解决了现有Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜不能满足微驱动元件的超高单位体积输出功的问题。Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜由Ti、Cu和Ni组成。本发明方法如下：洗净玻璃，抽真空，通氩气，以镍、钛、铜作为阴极采用磁控共溅射法进行沉积，再真空热处理后随炉冷却；即得到Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜。本发明方法制备合金薄膜的晶粒尺寸为50～500nm，厚度为3～10μm，Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜具有超高恢复应力(高于1GPa)、快响应速度的优点；可满足微驱动元件的小尺寸、超高驱动力的要求。
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公开(公告)号：CN101508772A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910071531.9
申请日：2009-03-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚酯型生物可降解形状记忆聚合物及其制备方法，它涉及生物可降解形状记忆聚合物及其制备方法。本发明提供了聚酯型生物可降解形状记忆聚合物及其制备方法。本发明的产品主要由癸二酸、丙三醇与二元醇经共聚后再交联固化而成。本发明的方法如下：a.将癸二酸与二元醇进行共聚，再加入丙三醇进行共聚；b.浇模，交联固化后即可。本发明产品具有形变量大、形变恢复率高、生物相容性好的优点，形状恢复温度为0～45℃，拉伸强度为0.5～10MPa，其降解时间为30～300天，其可作为人体软组织损伤修复用材料，如角膜、视网膜、皮肤、血管、结缔组织、胰岛组织、肌肉组织和神经组织等。本发明方法工艺简单，便于操作。
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公开(公告)号：CN101406961A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810209522.7
申请日：2008-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 水溶性金纳米团簇的制备方法。它涉及一种金纳米团簇制备方法。本发明解决了目前生产巯基稳定的水溶性金纳米团簇产量低的问题。本发明方法如下：将甲醇与Au3+化合物混合后加入巯基有机物的水溶液，然后加入NaBH4水溶液，得到混合物，分别用甲醇水溶液和去离子水离心洗涤混合物，最后在干燥温度为30～70℃、真空度为1～10－3Pa的条件下干燥6～18小时，即得水溶性金纳米团簇。本发明方法所得的水溶性金纳米团簇的粒径为1.5±0.2nm，分布率接近60％，具有较高的单分散性。本发明所得水溶性金纳米团簇的产率可达70％以上。本发明制备过程简单，分离过程简单。
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公开(公告)号：CN100463795C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710071678.9
申请日：2007-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C61/06 , B29C43/02 , B29C43/58 , B29C71/02 , A61L17/12 , A61L27/18 , A61L31/06 , B29K67/00 , B29K105/06
Abstract: 聚乳酸系聚合物获得冷变形成型形状记忆效应的处理方法，本发明属于一种使医用可降解材料获得冷变形成型形状记忆效应的方法，它是为了解决聚乳酸系聚合物可在玻璃化转变温度以下实施变形，且提高了形状记忆效应。该方法通过以下步骤实现：(一)模压成型；(二)退火处理，聚乳酸系聚合物获得冷变形成型形状记忆效应。经本发明处理后的聚乳酸系聚合物获得冷变形成型形状记忆效应，即材料在常温下即可实施形变处理，形变固定后将材料加热，形变发生恢复；处理过后的聚乳酸系聚合物的结晶度在10～25%之间，形变恢复率为85～96%，形变固定后成品恢复力在6.0～7.5MPa之间；尤其适用于对恢复力要求较高的医学制品的使用需求。
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