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公开(公告)号：CN112655038B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880097155.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。
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公开(公告)号：CN113287368A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980088682.7
申请日：2019-01-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 包括；第一树脂层(8)，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中，以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置；以及多个第一引绕配线(18h)，设置在第一树脂层(8)上，与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相平行地延伸，在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间，与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触，并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。
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公开(公告)号：CN112997236A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201880099376.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由于设置于边框区域的外缘附近的TEG设置于显示区域，且实际上配置于远离用于显示画面的TFT的位置，从而存在与显示区域内的TFT的特性的变化的方式不同的风险。因此，提供一种显示装置，所述显示装置的特征在于：TEG图案设置于显示区域与沟槽之间，虚设像素电路设置于显示区域与堰堤壁之间，TEG图案设置于显示区域的外侧，并且至少虚设电路相邻地设置。
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公开(公告)号：CN111133566A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780095340.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81)，且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。
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公开(公告)号：CN102822734A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016393.X
申请日：2011-01-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136213 , G02F2001/136295 , G02F2201/40 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明提供可以制造具备可靠性高的电子元件、配线的电子基板的方法。在本发明的电子基板的制造方法中，上述电子基板按顺序层叠地具有主基板、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层以及第三导电层，且上述第一导电层、上述第二导电层以及上述第三导电层在贯通上述第一绝缘层和上述第二绝缘层的开口部连接，上述制造方法包括：形成第一导电层的工序；形成以上述第一导电层的至少一部分露出的方式设有开口部的第一绝缘层的工序；在上述第一导电层的露出部上和上述第一绝缘层上涂敷导电膜的工序；在对上述导电膜上的一部分涂敷抗蚀剂后，蚀刻不与上述抗蚀剂重叠的导电膜，形成覆盖上述第一导电层的露出部的表面的第二导电层的工序；形成以上述第二导电层的至少一部分露出的方式设有开口部的第二绝缘层的工序；以及在上述第二导电层的露出部上和上述第二绝缘层上形成第三导电层的工序。
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公开(公告)号：CN113661577B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201980095132.8
申请日：2019-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H10K59/121 , H10K59/124 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 在显示装置中，包括与多个像素对应的像素电路，在基板(2)上依次层叠有半导体层(5)、栅极绝缘膜(6)、栅极(7)、第一层间绝缘膜(8)、电容电极(9)以及第二层间绝缘膜(10)。像素电路包含驱动晶体管(1)、电容和连接布线(11)。电容电极(9)在俯视时与栅极(7)重叠的位置的一部分设置有第一开口(9a)和第二开口(9b)。第一层间绝缘膜(8)和第二层间绝缘膜(10)具有设置在被第一开口(9a)包围的位置的接触孔(14)和设置在被第二开口(9b)包围的位置的孔(15)。连接布线(11)经由接触孔(14)与栅极(7)连接。孔(15)与半导体层(5)的沟道区域(5a)的一部分在俯视时重叠。
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公开(公告)号：CN113169231B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201880099988.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/121 , H10K59/12 , H01L29/786 , G09F9/30 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 各像素电路包括：TFT；以及电容器，其包含以TFT的岛状设置的栅极(14a)、在栅极(14a)上设置的第一无机绝缘膜以及在该第一无机绝缘膜上以与栅极(14a)重叠的方式设置的电容电极(16c)，不与半导体层(12a)重叠的部分中沿着栅极(14a)的周端面的周向的至少一部分与基底基板的上表面所成的角度大于在半导体层(12a)中俯视时重叠的部分中栅极(14a)的周端面与基底基板的上表面所成的角度。
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公开(公告)号：CN110832626B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201780092572.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 柔性有机EL显示装置包括藉由电子背散射衍射法的硅的结晶方位对齐于001面的程度为3以上的多晶硅层(15)。
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公开(公告)号：CN115398512A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080099717.X
申请日：2020-04-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本公开的显示装置具有：显示区域，其包含薄膜晶体管；端子部；以及折弯部，其设置在上述显示区域与上述端子部之间，在上述显示装置中，具备：树脂层，其在上述折弯部中设置在基材的上方；绝缘层，其设置为覆盖上述树脂层；以及第1配线，其设置在上述绝缘层的上方，在与上述显示区域和上述端子部的排布方向交叉的第1方向上延伸，将上述薄膜晶体管与上述端子部电连接，在上述折弯部中，上述树脂层具有在俯视时与上述第1配线重叠的至少1个孔或凹陷，上述绝缘层具有在俯视时与上述至少1个孔或凹陷重叠的至少1个开口部。
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