公开(公告)号：CN101471536B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810190673.2

申请日：2008-12-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  神川刚 ,  谷健太郎

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。

公开(公告)号：CN101316026A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810099971.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下文雄 ,  伊藤茂稔 ,  山本秀一郎 ,  川上俊之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。