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公开(公告)号：CN102957088A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285689.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02B27/0006 , G02B1/10 , G02B1/105 , H01S5/005 , H01S5/02296 , H01S5/028 , H01S5/0282
Abstract: 本发明公开了一种光学构件和光学模块。该光学构件发射或者透射460nm或者更小的波长的激光，并且由电介质膜形成的第一涂层施加在其表面的至少一部分上，以及由包含贵金属或者铂族元素的电介质膜形成的第二涂层施加在该第一涂层上。
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公开(公告)号：CN102299481A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110173888.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片以降低的电功耗运行且有助于实现成本降低，且具有：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在有源层之上；脊部，形成在氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在氮化物半导体层之上至少形成脊部的外侧区域中。脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。
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公开(公告)号：CN101938085B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010219685.0
申请日：2010-06-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/06226 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/2222 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。
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公开(公告)号：CN101453098A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178899.0
申请日：2008-12-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，－c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在－c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。
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公开(公告)号：CN1983751A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610163101.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/227
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。
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公开(公告)号：CN111541147A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010078046.0
申请日：2020-02-02
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现激光发光的损失小的半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件的特征在于，具备：基板；第一导电型半导体层，其形成在基板上；发光层，其形成在第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，其形成在发光层上，并具有条纹状的凸部；透明导电层，其在第二导电型半导体层的凸部上形成；导电性的保护层，其形成在透明导电层上；介电膜，其对第二导电型半导体层的凸部的侧面、透明导电层的侧面以及保护层的侧面进行覆盖；以及上部电极，其形成在保护层上，透明导电层的上表面的整个面由保护层覆盖，保护层的上表面的一部分由介电膜覆盖。
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公开(公告)号：CN104854765A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201480003463.1
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/125 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B7/22 , G11B2005/0021 , H01S5/0226 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2202 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。
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公开(公告)号：CN101316026B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810099971.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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公开(公告)号：CN102088162A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010574071.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置。该半导体激光器芯片的散热性能更加改善。该半导体激光器芯片包括：基板，具有前表面和背表面；氮化物半导体层，形成在基板的前表面上；光波导(脊部分)，形成在氮化物半导体层中；n侧电极，形成在基板的背表面上；以及切口部分，形成在包括基板的区域中且沿光波导(脊部分)行进。切口部分具有切口表面，在切口表面上形成连接到n侧电极的金属层。
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公开(公告)号：CN1983751B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610163101.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/227
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。
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