-
公开(公告)号：CN101950921A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010294334.6
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
-
公开(公告)号：CN101847824A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010173999.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括：激光器芯片，具有谐振腔端部表面；和光吸收膜，形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上，以吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
-
-
公开(公告)号：CN101609961A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910159795.X
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
-
公开(公告)号：CN101453098A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178899.0
申请日：2008-12-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，－c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在－c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452464C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610168827.9
申请日：2006-12-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/00 , H01L21/314
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件含有涂有涂膜的发光部分，所述发光部分由氮化物半导体形成，并且与发光部分接触的涂膜由与发光部分相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在所述氧氮化物膜上的氧化物膜形成。还提供一种制备含有具有被涂膜涂覆的小面的空腔的氮化物半导体激光器的方法，该方法包括以下步骤：提供解理以形成空腔的小面；和用涂膜涂覆空腔的小面，所述涂膜由与空腔的小面相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在氧氮化物膜的氧化物膜形成。
-
公开(公告)号：CN101232151A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810005122.4
申请日：2008-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 一种半导体激光器(10)包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜(31)，其中涂布膜(31)具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示涂布膜(31)对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据厚度d和折射率n的、所述发光部处的反射率。
-
-
公开(公告)号：CN101950920B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010294325.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
-
公开(公告)号：CN101950921B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010294334.6
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.027 seconds)
