半导体存储装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101000795A

    公开(公告)日:2007-07-18

    申请号:CN200710002322.X

    申请日:2007-01-11

    Inventor: 隅谷宪

    CPC classification number: G11C16/10 G11C16/3454 G11C2216/14

    Abstract: 本发明提供一种可缩短成批校验处理所需的时间并可使缓冲写入高速化的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置对地址区域内的存储单元执行写入处理,执行一次全部地进行多个地址的校验动作的成批校验处理,重复成批校验处理和写入处理,其中,具备对各地址是否包含未写入存储单元进行检测的检测单元,在成批校验处理的至少一部分中,将在前一次或多次的所述校验处理中判定为不包括未写入存储单元的地址的至少一部分排除在外地执行校验处理。

    半导体存储器件
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1469393A

    公开(公告)日:2004-01-21

    申请号:CN03148994.X

    申请日:2003-07-03

    Inventor: 隅谷宪

    CPC classification number: G11C7/1006 G11C16/08 G11C16/10

    Abstract: 提供了一种半导体存储器件,包括一个包括多个存储单元的存储器阵列,用于暂时存储要写入到存储器阵列中的数据的页面缓冲器部分,和用于屏蔽从页面缓冲器部分读出的数据的至少一部分的屏蔽部分。

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