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公开(公告)号:CN101000795A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200710002322.X
申请日:2007-01-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 隅谷宪
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
Abstract: 本发明提供一种可缩短成批校验处理所需的时间并可使缓冲写入高速化的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置对地址区域内的存储单元执行写入处理,执行一次全部地进行多个地址的校验动作的成批校验处理,重复成批校验处理和写入处理,其中,具备对各地址是否包含未写入存储单元进行检测的检测单元,在成批校验处理的至少一部分中,将在前一次或多次的所述校验处理中判定为不包括未写入存储单元的地址的至少一部分排除在外地执行校验处理。
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