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公开(公告)号：CN110672943A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910917482.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电压比较的老化检测传感器，控制电路产生老化电压信号VDC、基准电压信号VDD和参考电压信号VREF，老化电压信号VDC经过第一压控振荡器产生老化频率信号B，基准电压信号VDD经过第二压控振荡器产生基准频率信号A，基准频率信号A和老化频率信号B经过老化检测电路后产生频率差信号Y，串行数据检测器产生的电平信号E经拍频器后产生复位信号，8位计数器对老化信息量化，然后经数模转化器得到量化电压信号VAG，该量化电压信号VAG与参考电压信号VREF通过电压比较器进行比较，电压比较器在两者电压重合节点产生跳变信号，生成老化信号输出；优点是面积开销小，灵活性较好，老化检测精度较高。
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公开(公告)号：CN109697306A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811431233.1
申请日：2018-11-28
Applicant: 宁波大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于TDPL逻辑的编码器，包括九个工作逻辑分别为三相双轨预充逻辑的或非门和六个缓冲器，编码器在一个周期内实现一次求值运算，且一个周期内分为三个阶段，当放电控制信号和预充控制信号进入低电平时，编码器进入预充阶段；当求值信号由低电平变为高电平时，编码器实现求值运算，当放电控制信号由低电平变为高电平时，编码器进入放电状态，为下一次的求值运算做好准备，由此本发明的编码器通过三相双轨预充逻辑的或非门作为基本单元，仅通过配置阈值电压实现不同的逻辑功能，而且在每个工作周期内输出都从预充电高电平开始放电至低电平，消耗能量恒定；优点是防御逆向工程攻击的同时具有抗DPA攻击的特性，功耗较低。
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公开(公告)号：CN106816166B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201611118462.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 宁波大学
IPC: G11C7/06 , G11C11/417
Abstract: 本发明公开了一种三值灵敏放大器及其实现的SRAM阵列，三值灵敏放大器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管、第十二CNFET管和第十三CNFET管，SRAM阵列包括三值灵敏放大器、三值存储阵列、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第十四CNFET管、第十五CNFET管、第十六CNFET管、第十七CNFET管、第十八CNFET管和第十九CNFET管；优点是功耗较低、延时较小、且芯片成品率较高。
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公开(公告)号：CN106847327B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201611165143.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 宁波大学
IPC: G11C8/10 , G11C11/418
Abstract: 本发明公开了一种基于CNFET的三值或非门及三值1‑3线地址译码器，基于CNFET的三值或非门包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管和第五CNFET，基于CNFET的三值1‑3线地址译码器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管和第十一CNFET管；优点是功耗较低，延时较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105306075B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510532191.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 宁波大学
IPC: H03M13/13
Abstract: 本发明公开了一种三值FPRM电路功耗最佳极性搜索方法，首先将三值FPRM电路采用p极性下的三值FPRM逻辑函数进行表示，然后分解三值FPRM逻辑函数中含有的多输入运算，得到p极性下的多个二输入模3加门和多个二输入模3乘门，将二输入模3加门和二输入模3乘门引起的功耗作为p极性下的三值FPRM电路的功耗，构建得到三值FPRM电路的功耗估计模型，最后采用模拟退火遗传算法对三值FPRM电路进行功耗最佳极性搜索，得到功耗最佳极性搜索及最小功耗；优点是实现三值FPRM电路功耗最佳极性搜索，从而实现三值FPRM电路功耗优化；随机采用13个MCNC Benchmark电路进行仿真验证，本发明搜索到的功耗最佳极性与0极性比较，模3加门数量平均节省57.64％，模3乘门数量平均节省46.25％，功耗平均节省73.98％。
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公开(公告)号：CN105205214B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510524262.2
申请日：2015-08-25
Applicant: 宁波大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种利用穷举法的三值FPRM电路功耗优化方法，首先将三值FPRM电路采用p极性下的三值FPRM逻辑函数进行表示，然后分解三值FPRM逻辑函数中含有的多输入运算，得到p极性下的多个二输入模3加门和多个二输入模3乘门，将二输入模3加门和二输入模3乘门引起的功耗作为p极性下的三值FPRM电路的功耗，构建得到三值FPRM电路的功耗估计模型，最后采用穷举法对三值FPRM电路进行功耗最佳极性搜索，搜索得到三值FPRM电路的最小功耗和功耗最佳极性；优点是可实现三值FPRM电路的功耗优化；随机采用13个MCNC Benchmark电路进行仿真验证，本发明搜索到的最佳极性与0极性比较，模3加门数量平均节省54.94％，模3乘门数量平均节省46.89％，功耗平均节省72.72％，功耗优化效果显著。
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公开(公告)号：CN105160097B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510545654.7
申请日：2015-08-31
Applicant: 宁波大学
CPC classification number: G06F17/30442 , G06F7/44
Abstract: 本发明公开了一种利用人口迁移算法的三值FPRM电路面积优化方法，首先建立三值FPRM电路的面积估计模型，然后建立三值FPRM电路和人口迁移算法对应关系，再根据三值FPRM电路的面积估计模型得到人口迁移算法中用于计算人口所在地点的吸引力的吸引力函数，基于三值FPRM电路对应的三值FPRM逻辑函数的展开式设置人口迁移算法相关参数后采用人口迁移算法计算得到吸引力最大地点和最大吸引力，其中吸引力最大地点即为三值FPRM电路的最佳极性，最大吸引力即为三值FPRM电路的最小面积，由此得到三值FPRM电路面积优化结果；优点是搜索效率高，面积优化效果明显；采用10个测试电路对本发明方法和整体退火遗传算法进行仿真验证，本方法面积平均节省10.04％，时间平均节省56.59％。
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公开(公告)号：CN106847327A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611165143.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 宁波大学
IPC: G11C8/10 , G11C11/418
CPC classification number: G11C8/10 , G11C11/418
Abstract: 本发明公开了一种基于CNFET的三值或非门及三值1‑3线地址译码器，基于CNFET的三值或非门包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管和第五CNFET，基于CNFET的三值1‑3线地址译码器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管和第十一CNFET管；优点是功耗较低，延时较小。
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公开(公告)号：CN106205678A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610585441.1
申请日：2016-07-21
Applicant: 宁波大学
IPC: G11C11/418 , G11C7/12
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0625 , G06F3/065 , G06F3/0688 , G11C7/08 , G11C7/222 , G11C7/227 , G11C11/418 , G11C11/419 , G11C7/12
Abstract: 本发明公开了一种复制位线控制电路，包括复制单元、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第九反相器、第一与非门、第二与非门、第三与非门、第一或非门、第二或非门和第一PMOS管，第二或非门具有第一输入端、第二输入端、置位端和输出端；优点是确保字线控制信号在灵敏放大器使能信号有效后及时关断，减少存储阵列位线对不必要放电造成的开关功耗，并且对片选信号进行分解，生成读时钟控制信号取代复制字线信号控制对复制位线的充电，阻断复制位线与复制字线信号引起的反馈振荡，得到精准的字线控制信号，实验证明，在1.2V电源电压下，存储阵列的开关功耗可以节省53.7％。
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