真空薄膜生长设备
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1160478C

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN98100854.2

    申请日:1998-02-26

    CPC classification number: H01J37/32422 H01J37/3266

    Abstract: 一种真空薄膜生长设备,其特征在于:它包括:一个真空腔,一个装在所述真空腔上的等离子体源,一个置于所述真空腔内的阳极,以及一个设在真空腔外将由所述等离子体源产生的等离子体束引导进入所述阳极的导引线圈;所述真空薄膜生长设备适用于将所述等离子体束引导向所述阳极并在一块衬底上形成一层薄膜;所述真空薄膜生长设备还包括一个用以校正所述等离子体束的扭转和/偏移的校正机构,所述校正机构包含设置于在所述导引线圈处、或者设置于所述导引线圈和所述真空腔之间另一位置处的一个磁体,在该另一位置处有从所述导引线圈产生的磁力线。

    具有透明导电薄膜的触摸屏基材

    公开(公告)号:CN1144085C

    公开(公告)日:2004-03-31

    申请号:CN01104562.0

    申请日:2001-02-16

    Abstract: 一种透明触摸屏基材,包括透明基材以及附着其上的透明导电金属氧化物薄膜,该薄膜包含作为三种金属元素的锌、铟和锡并在酸中可溶。薄膜优选地包含以所有金属计的40%到65%原子含量的锌,及包含以原子含量计的锡量的0.25到1.3倍的铟。薄膜厚度优选地从100到160nm。本发明的触摸屏基材具有三种特性:较高的光透射率;在形成透明电极过程中通过酸蚀刻容易加工;以及透明导电薄膜具有从500到5,000Ω的中度表面电阻。

    用于液晶显示元件的基板
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1297163A

    公开(公告)日:2001-05-30

    申请号:CN00132521.3

    申请日:2000-11-17

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/133502

    Abstract: 一种用于液晶显示元件的基板,可满足各种要求的光学特性的,且同时可提高光的利用系数而没有导致信号延迟的可能性。一预定数量对的具有高折射率的第一透明膜和具有低折射率的第二透明膜,各透明膜由介电材料组成且叠放在一透明基板上。高折射率的透明膜和低折射率的透明膜具有在550nm波长的不小于1.8且不大于1.5的光的折射率。所述预定数量对是1或更大,且高折射率的透明膜和低折射率的透明膜各具有一设置到这样一值的膜厚度使得各透明膜的在可见光区中的光反射比在5~95%的范围内。

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