磁控溅射方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1188816A

    公开(公告)日:1998-07-29

    申请号:CN97102277.1

    申请日:1997-01-21

    CPC classification number: H01J37/3408 H01J37/3455

    Abstract: 磁体以负极与正极交错放置的方式安置且允许磁体在垂直于磁体长度方向的方向上往复运动。地屏蔽和屏蔽阳极设为地电势,腔体底部也设为地电势。靶固定于衬板上。在屏蔽阳极的外侧相应地安置了喷气管。在屏蔽阳极和靶之间安置了与地屏蔽11和靶绝缘的附属电极。阴极磁体按形成两个闭合的溅射消蚀区域环的方式安置。磁体在垂直于阴极长度方向的方向上往复运动。

    原稿台玻璃及其制造方法

    公开(公告)号:CN1253761C

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:CN02121872.2

    申请日:2002-04-27

    Inventor: 中西功次

    Abstract: 本发明涉及原稿台玻璃的制造方法,在该用于原稿读取机的原稿台玻璃中,预先在玻璃基板上实施化学强化或风冷强化,然后在上述玻璃基板的至少一个表面上形成掺杂了锡的氧化铟形成的膜即ITO膜,使该ITO膜的膜厚为15nm~20nm,这样做的目的是提供具有抗静电性能和充分的耐摩性、表面的摩擦系数在实用时十分小、且保持了玻璃基板强度的原稿台玻璃。由于ITO膜的膜厚为15nm~20nm,ITO的结晶可以充分地成长,形成结晶结构致密的薄膜,因此具有优异的耐摩性。此外,本发明提供一种原稿台玻璃,其中在玻璃基板的至少一个表面上形成掺杂了锡的氧化铟形成的膜即ITO膜,该ITO膜的膜厚为15nm~20nm。

    原稿台玻璃
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1384402A

    公开(公告)日:2002-12-11

    申请号:CN02121872.2

    申请日:2002-04-27

    Inventor: 中西功次

    Abstract: 本发明涉及一种原稿台玻璃,在该用于原稿读取机的原稿台玻璃中,预先在玻璃基板上实施化学强化或风冷强化,然后在上述玻璃基板的至少一个表面上形成掺杂了锡的氧化铟形成的膜(ITO膜),使该ITO膜的膜厚为15nm~20nm。目的是提供具有抗静电性能和充分的耐摩性、表面的摩擦系数在实用时十分小、且保持了玻璃基板强度的原稿台玻璃。由于ITO膜的膜厚为15nm~20nm,ITO的结晶可以充分地成长,形成结晶结构致密的薄膜,因此具有优异的耐摩性。

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