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公开(公告)号：CN101151668A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010797.7
申请日：2006-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
Abstract: 在本发明中，提供一种即使不设界面层，也可以确保高可靠性和良好的反复擦写性能的信息存储介质及其制造方法。为此，在通过光照射或施加电能进行存储及/或再生的信息存储介质中，信息存储介质具有添加了从Sn及Ga构成的群GM中选出的至少一种元素和从Ta及Y构成的群GL中选出的至少一种元素以及氧的材料层。
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公开(公告)号：CN1906043A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001529.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B9/04 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 在通过照射光、或者通过施加电能来记录再生信息的信息记录介质中，通过以含有如下材料的方式形成产生可逆性相变的记录层，就能够得到在高线速度下且广线速度范围内确保高擦去性能与优质记录保存性的信息记录介质，所述材料含有Ge、Bi、Te以及元素M且以(GeTe)x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1－y]100－x(mol％)(式中，M表示从Al、Ga以及In中选择的至少一种元素，x以及y满足80≤x＜100、0＜y≤0.9)表示。
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公开(公告)号：CN1877720A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610100582.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1764550A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007888.6
申请日：2004-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，包括：可以利用光学装置或电装置在结晶相与非晶相之间可逆相变的记录层，其中记录层至少包括Ge，Te，M1(M1是从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu组成的组中选择的至少一种元素)、M2(M2是从Sb和Bi组成的组中选择的至少一种元素)和M3(M3是从Te和Bi组成的组中选择的至少一种元素)。
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公开(公告)号：CN1670828A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052929.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1203550C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01135992.7
申请日：2001-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器，包括：第一和第二记录层，用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息，该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度TX1和TX2具有关系TX1＜TX2。第一和第二记录层的结晶化时间tx1和tx2具有关系tx1＞tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同，其中，非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1，晶相中第一记录层的电阻值为Rc1，非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2，晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。
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公开(公告)号：CN1606080A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410084969.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/08 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 在生产包含氧含量更低的氧化物作为主要成分的一次书写记录介质时，如果通过引入大量氧到膜形成气体中进行记录层的膜形成并且溅射靶子不含氧，那么生产出的每个介质具有不同性能，这是因为气体中的氧流量容易变化，并且记录层中所含的氧的组分比也容易变化。为解决上述问题，在基质上至少具有记录层和能够记录与复制信息的信息记录介质含有氧化物A－O或A－O－M(A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W中任意一种的材料，而M是至少含有金属元素、半金属元素和半导体金属元素中任意一种的材料)，在生产该层的过程中使用的溅射靶子至少含有A－O和，A和/或M。使用该方法，甚至可在大规模生产线上生产出具有高重现性和稳定性的记录层。
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公开(公告)号：CN1573993A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048920.7
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明的光学信息记录介质中包含的记录层14，含有低氧化物Te－O－M(M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素)或低氧化物A－O(A是从Sb、Sn、In、Zn、Mo以及W之中选择的至少一种元素)与材料X(X是从氟化物、碳化物、氮化物以及氧化物之中选择的至少一种化合物)的混合物。其中所谓低氧化物，是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。
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公开(公告)号：CN102037511A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118612.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B7/094 , G11B7/0956 , G11B7/24038 , G11B7/2578
Abstract: 本发明的光学信息记录再生装置包括：将产生的近场光聚光于光盘(1)的聚光部(11)、接收由光盘(1)反射的光并输出与所接收到的光的光量相对应的电信号的第一检测器(17)、以及利用从第一检测器(17)输出的电信号控制聚光部(11)与光盘(1)的光入射面的距离的距离控制电路(22)，其中，光盘(1)具有至少N(N为2以上的整数)层信息层，从光入射面到距离光入射面最远的第一信息层的距离d0与从光入射面到最接近光入射面的第N信息层的距离dn之间满足dn≥d0×(1/25)的关系。由此，在具有多层信息层的光盘的任意信息层上记录或再生信息时都能够正确地进行伺服控制。
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公开(公告)号：CN101336453B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680052095.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge-Bi-Te-M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
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