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公开(公告)号：CN102282614A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004775.6
申请日：2010-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2403 , G11B7/24056 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，具备：基板、覆盖层、被所述基板以及所述覆盖层所夹的第1信息层，通过从所述覆盖层一侧照射光束，在所述第1信息层记录信息，对记录于所述第1信息层的信息进行再生，所述第1信息层包含：记录膜、和配置于所述记录膜和所述覆盖层之间的保护膜，所述覆盖层和所述记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下。
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公开(公告)号：CN100472626C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
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公开(公告)号：CN100426399C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510054758.4
申请日：2005-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/24 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种记录介质，其在透明衬底上至少具有记录层。记录层从最靠近透明衬底的一侧开始依次至少具有第一可相变膜和第二可相变膜。第一可相变膜和第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲。第一和第二可相变膜均还包含铋，但第一和第二可相变膜中所包含的铋含量的差至少为2原子百分比。
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公开(公告)号：CN1248211C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02803169.5
申请日：2002-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/125 , B41M5/26
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/253 , G11B7/257 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571
Abstract: 光信息记录媒体(10)包括第一基板(11)、与第一基板(11)平行配置的第二基板(12)、以及配置在第一基板(11)与第二基板(12)之间的信息层(20)，信息层(20)包括记录层(23)和与记录层(23)相邻的无机物层(下部界面层(22)/上部界面层(24))。通过从第一基板(11)侧入射的激光束(14)的照射使记录层(23)在光学上可以识别的两种以上不同的状态之间变化。上述无机物层以SixGe1-x(0.3≤x≤0.9)的氮化物为主要成分。本发明提供一种即使利用短波长的光束进行记录/重放或对多个信息层进行记录/重放时也能够很好地进行记录/重放的光信息记录媒体以及使用它的记录方法。
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公开(公告)号：CN1245330A
公开(公告)日：2000-02-23
申请号：CN99111652.6
申请日：1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/006 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种能抑制交叉擦除、即使在高密度、高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在透明基板1上依次重叠下侧保护层2、记录层3、上侧保护层4、中间层5、反射层6,构成媒体,导热系数按照反射层、中间层、上侧保护层的顺序依次增大,而且使记录层的厚度为4～16nm。设光吸收层的折射率为n1、消光系数为k1,光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1200700A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN97191225.4
申请日：1997-09-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种光学信息记录媒体,该媒体在透明基板上备有至少含有Te、O及M原子(其中,M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选择的至少一种原子)的信息层、通过将上述信息层中的O原子的含有比例定为40atom%以上、60atom%以下,M原子的含有比例定为2atom%以上、25atom%以下,Te原子的含有比例定为15atom%以上、58atom%以下,在记录位长b对光点直径d的比b/d小的信息的记录、再生时,能以较宽的功率容限获得C/N比高、起伏小的良好的记录特性。
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公开(公告)号：CN101317224B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200680044259.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/2578
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质及其记录再生方法和记录再生装置。为此，本发明的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子％以上98分子％以下的Zn-O和2分子％以上50分子％以下的Y-O、Ce-O、Nb-O、Ta-O、Cr-O和Mo-O中选出的一种或者多种化合物。
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公开(公告)号：CN103650043B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280034328.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 北浦英树
IPC: G11B7/2433 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24067 , G11B7/24035 , G11B7/2433 , G11B7/266 , Y10T428/21 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明提供不需要初始化且在高密度记录下的信号品质良好的光学信息记录媒质。光学信息记录媒质具备通过光束的照射而记录信息的记录膜(4)。该记录膜(4)含有Ge、Bi及50at％以上的Te且具有第一记录膜部(411)及第二记录膜部(412)和中间记录膜部(413)，其中，第一记录膜部(411)沿面方向形成且Bi的含量在15at％以上；第二记录膜部(412)在光束照射的一侧沿面方向形成且Bi的含量比第一记录膜部(411)少10at％以上；中间记录膜部(413)用于使第一记录膜部(411)与第二记录膜部(412)之间在膜厚方向上的Bi的含量的变化得以缓和，且设置在第一记录膜部(411)与第二记录膜部(412)之间，并且Bi的含量比第二记录膜部(412)的Bi的含量多、且比第一记录膜部(411)的Bi的含量少。
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公开(公告)号：CN103650043A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034328.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 北浦英树
IPC: G11B7/2433 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24067 , G11B7/24035 , G11B7/2433 , G11B7/266 , Y10T428/21 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明提供不需要初始化且在高密度记录下的信号品质良好的光学信息记录媒质。光学信息记录媒质具备通过光束的照射而记录信息的记录膜(4)。该记录膜(4)含有Ge、Bi及50at％以上的Te且具有第一记录膜部(411)及第二记录膜部(412)和中间记录膜部(413)，其中，第一记录膜部(411)沿面方向形成且Bi的含量在15at％以上；第二记录膜部(412)在光束照射的一侧沿面方向形成且Bi的含量比第一记录膜部(411)少10at％以上；中间记录膜部(413)用于使第一记录膜部(411)与第二记录膜部(412)之间在膜厚方向上的Bi的含量的变化得以缓和，且设置在第一记录膜部(411)与第二记录膜部(412)之间，并且Bi的含量比第二记录膜部(412)的Bi的含量多、且比第一记录膜部(411)的Bi的含量少。
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公开(公告)号：CN1224969C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02140664.2
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/126 , G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2538 , G11B7/2585 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的课题是，提供可以以高线速度和高可靠性进行信息记录的光学信息记录介质和使用了它的记录方法。设置第1基板(11)、与第1基板(11)平行配置的第2基板(12)、配置在第1基板(11)和第2基板(12)之间的信息层(20)，信息层(20)包含记录层(22)和以与记录层(22)的距离在20nm以下的方式配置的电介质层(下侧电介质层(21)/上侧电介质层(23))。记录层(22)是借助于从第1基板(11)侧入射的光束(14)的照射在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间变化的层，电介质层包含ZnS和Si作为其主成分。
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