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公开(公告)号:CN1143289C
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN99111652.6
申请日:1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/006 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种能抑制交叉擦除、即使在高密度·高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在透明基板1上依次重叠下侧保护层2、记录层3、上侧保护层4、中间层5、反射层6,构成媒体,导热系数按照反射层、中间层、上侧保护层的顺序依次增大,而且使记录层的厚度为4~16nm。设光吸收层的折射率为n1、消光系数为k1,光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。
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公开(公告)号:CN1198568A
公开(公告)日:1998-11-11
申请号:CN98109250.0
申请日:1998-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种耐气候性优良、具有良好的记录擦除特性和重复特性的光学信息记录媒体,设置有含Ge层,以附接于信息层3上,该层7、8是由GeXN和GeXON中选出的至少一种为主要成分的扩散防止层。其中,成分X由Ⅲa、Ⅳa、Ⅴa、Ⅵa、Ⅶa、Ⅷ、Ⅰb、Ⅱb族元素和C中选出的至少一种元素构成,信息层3由以Ge、Te和Sb三种元素为主要成分的相变材料构成。
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公开(公告)号:CN1179335C
公开(公告)日:2004-12-08
申请号:CN98109250.0
申请日:1998-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种耐气候性优良、具有良好的记录擦除特性和重复特性的光学信息记录媒体,设置有含Ge层,以附接于信息层(3)上,该层(7)、(8)是由GeXN和GeXON中选出的至少一种为主要成分的扩散防止层。其中,成分X由IIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb族元素和C中选出的至少一种元素构成,信息层(3)由以Ge、Te和Sb三种元素为主要成分的相变材料构成。
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公开(公告)号:CN1245330A
公开(公告)日:2000-02-23
申请号:CN99111652.6
申请日:1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/006 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种能抑制交叉擦除、即使在高密度、高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在透明基板1上依次重叠下侧保护层2、记录层3、上侧保护层4、中间层5、反射层6,构成媒体,导热系数按照反射层、中间层、上侧保护层的顺序依次增大,而且使记录层的厚度为4~16nm。设光吸收层的折射率为n1、消光系数为k1,光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。
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