电介质元件的制造方法
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1080455C

    公开(公告)日:2002-03-06

    申请号:CN96112720.1

    申请日:1996-10-04

    CPC classification number: H01G4/12 H01L37/02

    Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂,将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理,将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。

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