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公开(公告)号:CN1153199C
公开(公告)日:2004-06-09
申请号:CN98118314.X
申请日:1998-08-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/006 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/26 , Y10S430/146
Abstract: 提供了一种即使在激光为短波长的情况下,也能使调制度增大并能实现高密度的信息记录再现,而且其重复记录特性也优良的光学信息记录介质。该介质具有:光学上透明的基板1、含有ZnO和SiO2的保护层2、由Ge、Cr、N构成的防扩散层7、含有Ge、Sb、Te三元素并具有特定组成的记录层3、由Ge、Cr、N构成的防扩散层8、以及Al合金反射层5,利用一种波长为650nm的激光来照射上述介质,一边使激光的功率在预定的功率级之间变动,一边进行信息的记录再现。
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公开(公告)号:CN1466749A
公开(公告)日:2004-01-07
申请号:CN01816626.1
申请日:2001-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/007 , G11B7/00718
Abstract: 一种光学信息记录介质包括第一基片;第二基片;以及在第一基片和第二基片之间形成的记录层。光学信息记录介质包括凸脊和凹槽,照射光学信息记录介质的激光光源和凸脊之间的距离大于光源和凹槽之间的距离。激光光源到凸脊之间的距离和激光光源到凹槽之间的距离之差D处于0<D<λ/(4N)的范围内(N为基片的折射率),其中λ是激光的波长。凹槽以小于或等于0.40μm的间距在光学信息记录介质中形成。
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公开(公告)号:CN1341258A
公开(公告)日:2002-03-20
申请号:CN00804035.4
申请日:2000-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316
Abstract: 在基片上形成至少一层信息层,后者包括以经激光照射能在两种不同的光学状态之间变化的材料为主要成分的记录层。这种材料的能隙在非结晶状态下为0.9eV至2.0eV。受到波长在300nm至450nm的范围内的激光照射时,上述信息层的透光率在30%以上。用该波长范围内的激光照射该介质一侧即可把信息记录在多个记录层上,并将其重放出来。
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