公开(公告)号：CN1716445A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510070161.9

申请日：2003-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山内宽行

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/419 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/12

Abstract: 一种半导体存储装置，多个位线(5)中非选择位线的预充电电位，由HPR电压源(2)设定成比确定存储在存储器单元中的数据高电位侧的电位的电源电压(Vcc)(0.5V～1.2V范围内的低电压，例如0.8V)要低的电位(例如1/2Vcc＝0.4V)。多个字线(4)中非选择字线的电位，由NWL电压源设定成给定负电位(例如－1/4Vcc＝－0.2V)。上述非选择位线的预充电电位(0.4V)非选择字线的负电位(－0.2V)的绝对值的合计值，设定成低于电源电压(Vcc)(0.8V)。从而在半导体存储装置中，在有效限制多个存储器单元的截止漏电流的同时、可以有效限制栅极漏电流以及GIDL漏电流。

公开(公告)号：CN1225738C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03147546.9

申请日：2003-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山内宽行

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/12

Abstract: 一种半导体存储装置，多个位线(5)中非选择位线的预充电电位，由HPR电压源(2)设定成比确定存储在存储器单元中的数据高电位侧的电位的电源电压(Vcc)(0.5V～1.2V范围内的低电压，例如0.8V)要低的电位(例如1/2Vcc＝0.4V)。多个字线(4)中非选择字线的电位，由NWL电压源设定成给定负电位(例如-1/4Vcc＝-0.2V)。上述非选择位线的预充电电位(0.4V)非选择字线的负电位(-0.2V)的绝对值的合计值，设定成低于电源电压(Vcc)(0.8V)。从而在半导体存储装置中，在有效限制多个存储器单元的截止漏电流的同时、可以有效限制栅极漏电流以及GIDL漏电流。

公开(公告)号：CN1159847C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN99125496.1

申请日：1999-12-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山内宽行 ,  寺田裕

IPC: H03K17/30

CPC classification number: H03F3/45717

Abstract: 主比较电路2供出对应于差动信号TX、XTX的电位差Va的检测电流Icomp；参考差动电压生成电路4生成对应于差动信号的中间电位Vm的参考差动电压OFS、XOFS；从比较电路5供出对应于该电位差的电流，作偏置电流Ioffset。因装置1输出电流Icomp、Ioffset的差电流，故其输出入特性具有偏置。因电路2、5的电路结构相同，故当电路2的Va-Icomp特性随电位Vm变化时，偏置电流Ioffset也发生同样的变化。结果，即使差动信号的电位发生变动，装置1的偏置电压也不会发生什么变化。

公开(公告)号：CN1479313A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03147546.9

申请日：2003-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山内宽行

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C7/12

Abstract: 一种半导体存储装置，多个比特线(5)中非选择比特线的预充电电位，由HPR电压源(2)设定成比确定存储在存储器单元中的数据高电位侧的电位的电源电压(Vcc)(0.5V～1.2V范围内的低电压，例如0.8V)要低的电位(例如1/2Vcc＝0.4V)。多个字线(4)中非选择字线的电位，由NWL电压源设定成给定负电位(例如－1/4Vcc＝－0.2V)。上述非选择比特线的预充电电位(0.4V)非选择字线的负电位(－0.2V)的绝对值的合计值，设定成低于电源电压(Vcc)(0.8V)。从而在半导体存储装置中，在有效限制多个存储器单元的截止漏电流的同时、可以有效限制栅极漏电流以及GIDL漏电流。