公开(公告)号：CN1702561A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510082468.0

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  塩原英志 ,  河村大辅 ,  早崎圭

IPC: G03F7/26

Abstract: 为了提高涂布膜或光刻胶的均匀性，本发明提供了一种涂布膜加热装置和光刻胶的处理装置。本发明的涂布膜的加热装置具有内部空间的腔室；上述腔室内具有支撑被处理衬底的载置面并用于加热上述被处理衬底的加热板，所述被处理衬底具有涂布膜；以及对着上述载置面配置于上述腔室内的、用于吸附由上述被处理衬底产生的蒸发物的吸附板。

公开(公告)号：CN1228815C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02126980.7

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/162

Abstract: 本发明提供一种液膜形成方法及使用它的固体膜的形成方法，在将液体螺旋状地供给到被处理基板上进行成膜的技术中，在抑制液体朝向被处理基板外放出的同时、形成均匀的膜。在从滴下部向被处理基板上滴下液体的同时、一边使上述被处理基板旋转，一边使上述滴下部以上述被处理基板每旋转一周所产生的径向的上述滴下部的移动间距变化的方式沿径向移动，而且，伴随着上述滴下部的上述被处理基板径向的移动，为了使被滴下的该液膜由于施加在滴下的液膜的离心力移动，调整该基板的转速及从该滴下部供给的上述液体的供给速度v，在上述被处理基板上形成液膜。

公开(公告)号：CN1581432A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058329.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  渡濑正美

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。

公开(公告)号：CN1577082A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062569.7

申请日：2004-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  武藤大藏 ,  浅野昌史 ,  藤泽忠仁 ,  柴田刚 ,  伊藤信一

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70683 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括：准备多个加热处理装置的工序；用所准备的各个加热处理装置，用多个设定温度，对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序；在上述加热处理后进行冷却处理的工序；在上述冷却处理后进行显影处理的工序；在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中，测定曝光量监视图形的状态的工序；根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态，对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序；根据所求得的关系，对各个加热处理装置进行修正，使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。

公开(公告)号：CN1573548A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042367.6

申请日：2004-05-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐原英志 ,  早崎圭 ,  藤泽忠仁 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  H01L21/47

CPC classification number: G03F7/70608

Abstract: 提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定要变动的检查特征量的步骤，根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。

公开(公告)号：CN1479172A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03150313.6

申请日：2003-07-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  竹石知之 ,  川野健二 ,  江间达彦

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 一种图形形成方法，其特征在于：具备：在衬底上形成感光性树脂膜的工序；使上述感光性树脂膜曝光的工序；向上述感光性树脂膜上供给显影液，形成上述感光性树脂膜的图形的工序；采用使已活性化的水与上述图形接触的办法，进行除去上述图形的表层的细化处理的工序。

公开(公告)号：CN1347137A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01140673.9

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴102和使该保护膜滴液喷嘴102沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板110上的使被处理基板110沿x方向移动的被处理基板移动台构成。液状膜干燥部分由吸嘴101和与吸嘴101相连的真空泵103构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。

公开(公告)号：CN1325129A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN01119694.7

申请日：2001-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  早坂伸夫 ,  伊藤信一 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B05C5/005

Abstract: 一种成膜装置,备有:药液喷出喷嘴,对被处理衬底连续地喷出药液;气体喷出部,配置在该药液喷嘴下方,对从该喷嘴喷出的药液吹气,通过该气体的压力使药液的轨迹改变;药液回收部,相对于喷出的药液与所述气体喷出部相隔配置,回收由该喷出部使轨迹改变的药液;和移动部,使所述液体喷出喷嘴和所述被处理衬底相对移动。所述气体喷出部备有:激光振荡器,使激光振荡;和气体发生膜,由所述振荡器照射的激光加热气化产生所述气体。

公开(公告)号：CN1324106A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN01121300.0

申请日：2001-04-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 在向被处理衬底上涡旋状供给药液进行成膜的技术中,抑制向被处理衬底外排出药液,同时形成均匀薄膜。所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对移动是边旋转该衬底,边从该衬底的大约中心向该衬底的外周相对地移动所述滴下部,随着从所述被处理衬底的大约中心向外周的所述滴下部的相对移动,降低该衬底的转速,同时增加该滴下部来的所述液体的供给速度v,使该液膜不因滴下的液膜受到离心力而引起该液膜移动,并在被处理衬底上形成液膜。

公开(公告)号：CN101963759A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910170958.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明涉及成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法。在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。