公开(公告)号：CN1855573B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610084049.5

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今林良太 ,  古川忍 ,  矶部敦生 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm-3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

公开(公告)号：CN1855570A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610068053.2

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古川忍 ,  今林良太

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0562

Abstract: 本发明的目的是在保持传导载流子的沟道的有机半导体和栅极绝缘体层的界面的平坦性并且不降低成品率的情况下，形成具有结晶性高的有机半导体的有机晶体管。本发明的特征是将有机半导体层形成为叠层结构，至少上层的有机半导体层具有多晶状态或单晶状态，下层的有机半导体层由起到沟道作用的材料来构成。通过提供结晶性高的上层的有机半导体层，可以提高载流子迁移率，并且通过提供下层的有机半导体层，可以补充起因于该上层的有机半导体层的不充分的接触。

公开(公告)号：CN1797807A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410061523.3

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 平形吉晴 ,  石谷哲二 ,  深井修次 ,  今林良太

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法，而不依赖昂贵专用设备，也不使有机半导体暴露于大气中。此外，本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法，而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题，本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。