曝光装置以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN1723537A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200380105419.3

    申请日:2003-12-05

    Abstract: 本发明提供一种在将液体充满于投影光学系统与基片之间来进行曝光之际,能够抑制起因于附着于基片的液体的器件的劣化的曝光装置。器件制造系统(SYS)具备:在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满,经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX);曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器·显影器本体(C/D)的接口部(IF);以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器·显影器本体(C/D)之前,除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100)。

    曝光装置、曝光方法、及元件制造方法

    公开(公告)号:CN105301918A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510850074.9

    申请日:2008-07-16

    Inventor: 荒井大

    Abstract: 一能减低周围气体的折射率变动的影响、以提高载台的定位精度等的曝光装置。一种曝光装置,是通过投影光学系统(PL)对晶圆载台(WST)上的晶圆(W)照射曝光用照明光,而在晶圆(W)形成既定图案。该曝光装置具备:设置于晶圆载台(WST)的标尺;用以检测该标尺的位置资讯的多个X读头(66);一体支撑多个X读头(66),且线膨胀系数较晶圆载台(WST)的本体部小的测量框架(21);从多个X读头(66)的检测结果求出晶圆载台(WST)的位移资讯的控制装置。

    测量方法、载台装置、及曝光装置

    公开(公告)号:CN104111589A

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201410271092.7

    申请日:2008-07-16

    Inventor: 荒井大

    Abstract: 一能减低周围气体的折射率变动的影响、以提高载台的定位精度等的曝光装置。一种曝光装置,是通过投影光学系统(PL)对晶圆载台(WST)上的晶圆(W)照射曝光用照明光,而在晶圆(W)形成既定图案。该曝光装置具备:设置于晶圆载台(WST)的标尺;用以检测该标尺的位置资讯的多个X读头(66);一体支撑多个X读头(66),且线膨胀系数较晶圆载台(WST)的本体部小的测量框架(21);从多个X读头(66)的检测结果求出晶圆载台(WST)的位移资讯的控制装置。

    轴承装置、载台装置及曝光装置

    公开(公告)号:CN100582509C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200580035291.7

    申请日:2005-10-07

    Inventor: 荒井大

    CPC classification number: G03F7/70816 F16C29/025 F16C32/064

    Abstract: 一种轴承装置,可确保充分的移动行程而无需连接供气用的管路等。该轴承装置具有包括衬垫部(73)的移动体(3)和固定体(2)。向衬垫部(73)供给介质来将移动体(3)可自由移动地支承在固定体(2)上。该轴承装置具有:设置于固定体(2)且供给前述介质的供给部(5);联络供给部(5)和衬垫部(73)的联络部(75);相应于移动体(3)相对固定体(2)的位置来开闭联络部(75)的开闭装置(6)。

    曝光装置以及曝光系统
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100382241C

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200380105419.3

    申请日:2003-12-05

    Abstract: 本发明提供一种在将液体充满于投影光学系统与基片之间来进行曝光之际,能够抑制起因于附着于基片的液体的器件的劣化的曝光装置。器件制造系统(SYS)具备:在投影光学系统(PL)与基片(P)之间用液体(50)充满,经由投影光学系统(PL)和液体(50)将图案像投影到基片(P)上的曝光装置本体(EX);曝光装置本体(EX)与进行基片(P)曝光后的处理的涂敷器。显影器本体(C/D)的接口部(IF);以及在基片(P)曝光后、经由接口部(IF)将基片(P)搬出至涂敷器。显影器本体(C/D)之前,除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100)。

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