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公开(公告)号：CN101582563A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139387.8
申请日：2009-05-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN101356703A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001450.0
申请日：2007-08-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18322 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/423 , H01S2304/00 , H04N1/1135 , H04N1/1912 , H04N1/1917
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。
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公开(公告)号：CN1943020A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000155.9
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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公开(公告)号：CN105190911B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480025224.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035272 , H01L31/043 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544
Abstract: 化合物半导体光伏电池包括：化合物半导体基底；一个或多个第一光电转换单元，其沉积在所述化合物半导体基底上；结合层，其沉积在所述一个或多个第一光电转换单元上；和一个或多个第二光电转换单元，其经由所述结合层结合至所述一个或多个第一光电转换单元，且设置在所述一个或多个第一光电转换单元在光入射方向上的光入射侧上。进一步地，第一和第二光电转换单元的带隙随着所述第一和第二光电转换单元在光入射方向上从光入射侧向背侧接近而降低，以及当存在一个第二光电转换单元时，所述结合层的带隙大于或等于所述第二光电转换单元的带隙。
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公开(公告)号：CN103579901B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310471812.X
申请日：2013-07-23
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/423 , G04F5/14 , G04F5/145 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18344 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/4087
Abstract: 表面发射激光器装置和原子振荡器。该激光器装置包括基板(101)、下部反射器(102)、有源层(104)、上部反射器(106，113)和配置为发光的表面发射激光器(11-14)。第二相调整层(108)、接触层(109)、第一相调整层(111)和波长调整层(112)从有源层侧依次层叠。从第二相调整层(108)的有源层侧到波长调整层(112)中部的总光学厚度约为(2N+1)×λ/4，λ代表光波长，N代表正整数。从第二相调整层(108)的有源层侧至接触层(109)中部的光学厚度约为Nλ/2。表面发射激光器(11-14)的至少两个具有设置在不同厚度的波长调整层(112)，并且配置为发射不同波长的光。
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公开(公告)号：CN105190911A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025224.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035272 , H01L31/043 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544
Abstract: 化合物半导体光伏电池包括：化合物半导体基底；一个或多个第一光电转换单元，其沉积在所述化合物半导体基底上；结合层，其沉积在所述一个或多个第一光电转换单元上；和一个或多个第二光电转换单元，其经由所述结合层结合至所述一个或多个第一光电转换单元，且设置在所述一个或多个第一光电转换单元在光入射方向上的光入射侧上。进一步地，第一和第二光电转换单元的带隙随着所述第一和第二光电转换单元在光入射方向上从光入射侧向背侧接近而降低，以及当存在一个第二光电转换单元时，所述结合层的带隙大于或等于所述第二光电转换单元的带隙。
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公开(公告)号：CN102498624B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201080041006.3
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/18327 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 一种表面发射激光器，包括基底；设置在基底上的下部半导体多层膜反射体；包括活性层且设置在下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；设置在共振体结构上的上部半导体多层膜反射体。该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕。发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜，其反射率比中心部分的反射率低。选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度。振荡阈值电流被最小化所在的温度是60摄氏度或更低。
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公开(公告)号：CN102255242B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110110011.1
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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公开(公告)号：CN102224646B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980146798.8
申请日：2009-11-24
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一中表面发射激光器器件，其用以在垂直于衬底的方向上发射激光，包括围绕发射激光的发射表面上的发射区域的p侧电极；以及形成在发射区域的中心部分的外侧且在发射区域之内的外侧区域上以降低其反射率低于中心部分的透明介电膜。所述发射区域内的外侧区域在两个相互垂直的方向上具有形状各向异性。
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公开(公告)号：CN101794967B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010155366.8
申请日：2006-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 能够容易地提高单一基本横模的输出的面发光激光元件包括：反射层、谐振器隔离层、活性层、选择氧化层。所述选择氧化层被设置在与振荡光的电场的驻波分布的第4周期的节对应的反射层中的位置、和在与活性层侧相反方向上，与第4周期的节相邻接的与驻波分布的腹对应的反射层中的位置之间。
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