公开(公告)号：CN102255242B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201110110011.1

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  轴谷直人 ,  伊藤彰浩 ,  梅本真哉 ,  禅野由明 ,  山本高稔

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

公开(公告)号：CN102255242A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110110011.1

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  轴谷直人 ,  伊藤彰浩 ,  梅本真哉 ,  禅野由明 ,  山本高稔

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

公开(公告)号：CN1943020B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680000155.9

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  轴谷直人 ,  伊藤彰浩 ,  梅本真哉 ,  禅野由明 ,  山本高稔

IPC: H01L21/31 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

Abstract: 半导体氧化设备包含：可密封氧化室；设置于氧化室内并用来支撑半导体样品的基座；设置于氧化室外并用于向氧化室供应水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于氧化室的顶壁内，并且设置于能够面对支撑于基座上的半导体样品的位置处；监测部分，其设置于氧化室之外，并且能够经由监测窗面对支撑于基座上的半导体样品；移动机构，其用于沿垂直方向移动基座和监测部分的其中之一或者移动基座和监测部分二者；中断部分，其用来中断对半导体样品的氧化；用来在由监测部分获得的图像的基础上获得半导体样品的一部分的氧化速率、以及在氧化速率的基础上获得所需的附加氧化量的部分；以及用来对半导体样品的一部分附加氧化附加氧化量的部分。

公开(公告)号：CN1943020A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200680000155.9

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤俊一 ,  轴谷直人 ,  伊藤彰浩 ,  梅本真哉 ,  禅野由明 ,  山本高稔

IPC: H01L21/31 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。