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公开(公告)号：CN117946549A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410068605.8
申请日：2024-01-17
Applicant: 浙江大学 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
IPC: C09D11/36 , G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/167 , G02F1/1677 , B41M5/00
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿量子点墨水的制备方法，包括如下步骤：将十氢萘、正辛烷和白油三者共混，经搅拌得到三元混合溶剂；将溶质加入三元混合溶剂中得到混合溶液，所述溶质为钙钛矿量子点以及设置于钙钛矿量子点表面的有机配体，使得溶质均匀分散在三元混合溶剂中，得到钙钛矿量子点墨水。本发明通过三溶剂体系构建形成自外而内的马兰戈尼流，与咖啡环效应的由内向外的毛细流形成平衡，从而消除咖啡环。
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公开(公告)号：CN114540010B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210172260.1
申请日：2022-02-24
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿量子点的制备方法，其中，制备方法包括步骤：将溴化铅、四辛基溴化铵和双十二烷基二甲基氯化铵加入甲苯，制备铅源前驱体；制备含有铯、甲基胺或甲脒中一种或多种的一价阴离子前驱体；将所述一价阴离子前驱体注入所述铅源前驱体进行反应，获得蓝光钙钛矿量子点。本发明通过将双十二烷基二甲基氯化铵直接引入量子点合成阶段，改变晶体生长的动力学过程，获得了制备方法简便、稳定性好、发光性能较好、且适用于电致发光二极管的蓝光钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN114752370B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210202475.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种调控卤素钙钛矿量子点发光光谱的方法，其中，包括步骤：提供一种卤素钙钛矿量子点；在含有所述卤素钙钛矿量子点的体系中加入不同量的含有硫氰根的有机分子；提纯所述体系得到处理后的卤素钙钛矿量子点，从而实现卤素钙钛矿量子点发光光谱的调控。本发明通过在既有卤素钙钛矿量子点中引入含有硫氰根的有机分子，使发光峰位发生可控变化，同时保持发光效率不损失，在不需要准备多种合成试剂和改变多个合成参数的条件下，简便高效地获得具有不同发光光谱的卤素钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN114272830B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111612603.3
申请日：2021-12-27
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
IPC: B01F33/452
Abstract: 本发明提供了一种用于高温化学反应的抗污染磁力搅拌子。磁力搅拌子包括磁芯和包覆磁芯的外部壳层；磁芯采用居里点高于650℃的永磁材料，外部壳层采用软化温度高于800℃的玻璃材料；磁芯与外部壳层之间留有一定空隙，空隙用于磁芯热膨胀的空间。该搅拌子以耐高温永磁材料为磁芯，以耐高温玻璃为外壳。相比于传统聚四氟乙烯搅拌子，该搅拌子即便在较高工作温度下其表面依旧不会残留化学物质，有效地避免了因搅拌子物质吸附而产生的化学反应污染问题。磁芯与外部壳层之间留有一定空隙。当环境温度发生骤变时，搅拌子不会因材料热膨胀系数不同而发生破裂。该搅拌子最高可在600℃下工作而不发生磁力衰减。其使用寿命远超现有产品。
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公开(公告)号：CN116600619A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310566330.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 浙江大学 , 温州锌芯钛晶科技有限公司
IPC: H10K71/15 , H10K50/115 , H10K50/84
Abstract: 本发明提供钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，以及具有该钙钛矿量子点薄膜的发光二极管。钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括溶液法薄膜原位后处理步骤：在钙钛矿量子点溶液旋涂过程中快速滴加含有类卤素钝化剂的溶剂，提高所得钙钛矿量子点薄膜的荧光量子产率(PLQY)。发光二极管包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点薄膜、电子传输层、电极层。本发明通过溶液法对钙钛矿量子点薄膜进行后处理，提升了钙钛矿量子点发光层的荧光量子产率，从而提升相应的发光二极管器件外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116193946A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211608889.2
申请日：2022-12-14
Applicant: 浙江大学温州研究院
Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法和用途。所述制备方法包括以下步骤：(1)将卤化铅和卤化铯混合研磨，然后进行煅烧，得到钙钛矿粉末；(2)将硅片倒扣在钙钛矿粉末上方，在低压和氮气氛围中加热钙钛矿粉末，使钙钛矿固相粉末蒸发为气相并沉积在上方的硅片表面，最终形成钙钛矿薄膜/硅异质结。本申请在制备钙钛矿薄膜/硅异质结过程中，通过垂直气相沉积的方法来提升钙钛矿在硅表面成核和生长的均匀性，通过低压来提高钙钛矿在硅表面沉积过程中的成核密度，这可以增加钙钛矿薄膜的致密程度，减少针孔密度，从而获得高质量钙钛矿薄膜/硅异质结。
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公开(公告)号：CN115651648A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211204689.0
申请日：2022-09-29
Applicant: 浙江大学 , 浙江锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纯红光钙钛矿量子点及其制备方法，通过高温反应，在冷却的过程中进行氢碘酸刻蚀联合注入辅助冷却试剂的方法，改变钙钛矿量子点的热力学平衡，有效限制钙钛矿量子点的长大，在强量子限域作用下，得到纯红光发射的钙钛矿量子点。此方法所制备的钙钛矿量子点具有产率高，结晶质量好，光学性能优异等特点。这种纯红光钙钛矿量子点有望应用在喷墨打印技术、显示屏领域和电致发光二极管领域，加速钙钛矿量子点在显示领域的拓展应用。
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公开(公告)号：CN114752370A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210202475.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 浙江锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种调控卤素钙钛矿量子点发光光谱的方法，其中，包括步骤：提供一种卤素钙钛矿量子点；在含有所述卤素钙钛矿量子点的体系中加入不同量的含有硫氰根的有机分子；提纯所述体系得到处理后的卤素钙钛矿量子点，从而实现卤素钙钛矿量子点发光光谱的调控。本发明通过在既有卤素钙钛矿量子点中引入含有硫氰根的有机分子，使发光峰位发生可控变化，同时保持发光效率不损失，在不需要准备多种合成试剂和改变多个合成参数的条件下，简便高效地获得具有不同发光光谱的卤素钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN107381624B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710475083.3
申请日：2017-06-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积的超薄无机铅卤钙钛矿纳米团簇的制备方法，该方法是先以热浇筑法制备超薄碘化铅纳米片前驱体，再利用化学气相沉积技术，使用管式炉在合适的条件下将超薄碘化铅前驱体转化成超薄的无机铅卤钙钛矿纳米片或纳米线，最终获得超薄无机铅卤钙钛矿纳米团簇。本发明的制备方法方便易行，获得的无机铅卤钙钛矿超薄纳米片厚度或纳米线直径可维持在几个至十几个纳米之间，这些纳米片/线聚集在一起形成三角形或六边形的纳米团簇。本发明避免了有机配体的引入及后期复杂的薄膜旋涂过程，实现无机铅卤钙钛矿纳米结构在衬底上的直接制备。
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公开(公告)号：CN104835719B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510150911.7
申请日：2015-04-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/113
Abstract: 本发明公开了一种多孔SiO2纳米线阵列的制备方法，主要基于金属辅助化学刻蚀方法，首先将硅片放置于氢氟酸和硝酸银的混合液中，通过氧化还原反应在硅片表面形成银膜，然后再将其放置在氢氟酸与双氧水的混合液中进行金属催化化学刻蚀，在硅片上得到多孔硅纳米线阵列，最后对硅纳米线进行氧化得到多孔氧化硅纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行，成本较低，形貌可控，适于大批量生产。
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